[发明专利]一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法

权利要求书

1.一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法，其特征在于：硅-碳复合电极材料的层数为2～5；每层硅-碳层的厚度为1～20纳米；硅与碳的总摩尔比为(0.2～5):1，且硅与碳的摩尔比从最里层到最外层逐渐减小；一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法包括：

1)称量一定质量的金属镁和水，混合搅拌；

2)将有机硅的乙醇溶液滴入步骤1)的产物，搅拌1～40h；温度控制在10～100℃，有机硅水解在镁表面沉积二氧化硅；

3)将步骤2)的产物分离、烘干，与镁、氯化铝混合，放入容器、抽真空、封闭、在200～500℃放置2～40h；硅：镁：氯化铝的摩尔比为1：(2～5)：(1～20)；镁和氯化铝低温热还原二氧化硅；

4)将步骤3)的产物投入盐酸溶液，浸渍5～60h；分离、去离子水洗涤、烘干；

5)将步骤4)的产物投入类石墨烯骨架材料前驱体的酒精溶液，在100～250℃原位合成类石墨烯骨架材料，类石墨烯骨架材料为Cu₃(HHTP)₂,Ni₃(HITP)₂的一种；

6)将步骤5)产物在300～1000℃放置2～40h，高温碳化；

7)将步骤6)的产物再循环重复步骤2～6的次数1～4，获得空心结构的多层硅-碳复合电极材料。