[发明专利]一种IGBT模块扫频测试台

说明书

本发明公开了一种IGBT模块扫频测试台，包括支撑台、扫频测试组、IGBT模块定位台、安装台和升降驱动件，升降驱动件安装在支撑台的顶部、且升降驱动件的底部为输出端，扫频测试组安装在支撑台上并与升降驱动件的输出端连接，安装台安装在支撑台上，IGBT模块定位台设置在安装台上、且位于扫频测试组下方，IGBT模块定位在IGBT模块定位台上，升降驱动件驱动扫频测试组下降与IGBT模块对接进行扫频测试。该测试台具有安全性高、成本低廉、可降低测试难度、能提高测试准确性和测试效率的优点。

技术领域

本发明主要涉及IGBT扫频测试技术，尤其涉及一种IGBT模块扫频测试台。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

在之前IGBT模块生产过程中，没有设计扫频测试这一工艺，故而造成了较高的产品不合格率，为了提高产品合格率等性能，目前逐渐有了扫频测试这一工艺过程，但是，在样件试验阶段没有成型的试验台，均是采用手工接线及连接方式进行试验，一方面降低了测试效率；另一方面提高了人力成本，并且测试难度高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种安全性高、成本低廉、可降低测试难度、能提高测试准确性和测试效率的IGBT模块扫频测试台。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种IGBT模块扫频测试台，包括支撑台、扫频测试组、IGBT模块定位台、安装台和升降驱动件，所述升降驱动件安装在支撑台的顶部、且升降驱动件的底部为输出端，扫频测试组安装在支撑台上并与升降驱动件的输出端连接，所述安装台安装在支撑台上，所述IGBT模块定位台设置在安装台上、且位于扫频测试组下方，所述IGBT模块定位在IGBT模块定位台上，所述升降驱动件驱动扫频测试组下降与IGBT模块对接进行扫频测试。

作为上述技术方案的进一步改进：

所述支撑台上设有第一支撑座，所述第一支撑座上设有平移导轨，所述安装台滑装在平移导轨上。

所述第一支撑座的两端安装有限位台，所述安装台移动至一端时与相应端的限位台接触限位。

所述第一支撑座的两端还安装有定位气缸，所述安装台的两端设有定位孔，所述安装台移动至一端时，相应端的所述定位气缸的伸缩杆伸出与定位孔配合定位。

所述IGBT模块定位台设有多个，各IGBT模块定位台均滑装在平移导轨上。

所述支撑台上还设有第二支撑座，所述升降驱动件安装在第二支撑座上。

所述扫频测试组包括电容模块、电流模块、测试柱和升降台，所述电容模块固装在支撑台上，所述升降台与升降驱动件的输出端连接，所述电流模块设置在升降台上并与电容模块连接，所述测试柱设置在升降台上并与电流模块连接。

所述升降台上设有导向柱，所述导向柱穿设于第二支撑座上。

所述电容模块包括电容和电容母排，所述电流模块包括交流排和直流排，所述电容和电容母排形成连接，所述交流排和直流排均与电容母排形成连接，所述测试柱安装在交流排和直流排上。

所述支撑台底部设有万向轮。

所述支撑台上设有把手。

与现有技术相比，本发明的优点在于：