[发明专利]负极材料及包含其的电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极材料，所述负极材料包括含硅颗粒，其中所述含硅颗粒包括：

硅氧化物SiO_x，其中x为0.5-1.6；和

碳层，所述碳层包覆所述硅氧化物SiO_x的至少一部分表面；

其中在拉曼光谱中，所述含硅颗粒在1350cm^-1的峰的高度I₁₃₅₀与在1580cm^-1的峰的高度I₁₅₈₀的比值满足0＜I₁₃₅₀/I₁₅₈₀＜5，并且

在510cm^-1的峰的高度I₅₁₀与在1350cm^-1的峰的高度I₁₃₅₀的比值满足2＜I₅₁₀/I₁₃₅₀＜12，

其中所述含硅颗粒的比表面积为4-15m²/g。

2.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述硅氧化物SiO_x包括SiO、SiO₂、纳米Si晶粒或其组合。

3.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述含硅颗粒的比表面积为4-10m²/g。

4.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述碳层的厚度为3-40nm。

5.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述含硅颗粒的平均粒径为500nm-30μm。

6.一种负极，所述负极包括集流体和位于所述集流体上的涂层，所述涂层包括：

含硅颗粒，所述含硅颗粒包括：

硅氧化物SiO_x，其中x为0.5-1.5；和

碳层，所述碳层包覆所述硅氧化物SiO_x的至少一部分表面；

其中在拉曼光谱中，所述含硅颗粒在1350cm^-1的峰的高度I₁₃₅₀与在1580cm^-1的峰的高度I₁₅₈₀的比值满足0＜I₁₃₅₀/I₁₅₈₀＜5，并且

在510cm^-1的峰的高度I₅₁₀与在1350cm^-1的峰的高度I₁₃₅₀的比值满足2＜I₅₁₀/I₁₃₅₀＜12，

其中所述含硅颗粒的比表面积为4-15m²/g。

7.根据权利要求6所述的负极，其中所述集流体包括铜、铝、镍、铜合金、铝合金、镍合金或其任意组合。

8.根据权利要求6所述的负极，其中所述涂层进一步包括石墨颗粒，其中：

与所述石墨颗粒紧密相邻的含硅颗粒的个数占所述含硅颗粒总个数的百分比大于或等于40％，其中将含硅颗粒与相邻石墨颗粒的间距小于或等于5nm定义为紧密相邻状态；并且

所述含硅颗粒与相邻的石墨颗粒的间距小于或等于500nm。

9.根据权利要求8所述的负极，其中所述涂层的X射线衍射图谱包括004衍射线图形和110衍射线图形，由所述004衍射线图形得到的单位晶胞长度的c轴长度C004与由所述110衍射线图形得到的单位晶胞长度的a轴长度C110的比值C004/C110为所述涂层的OI值，所述OI值满足7.5＜OI＜18。

10.根据权利要求6所述的负极，其中所述含硅颗粒的比表面积为4-10m²/g。

11.根据权利要求8所述的负极，其中所述含硅颗粒与所述石墨颗粒的重量比为0.07-0.7。