[发明专利]半导体结构及其制备工艺、电子装置

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基板，具有相对设置的第三表面和第四表面，所述基板开设有贯通所述第三表面和所述第四表面的窗口；

芯片，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述芯片以第一表面固定于所述基板的第四表面并覆盖所述窗口，所述第一表面为所述芯片的功能面；

绝缘层，设于所述第二表面并包覆于所述第二表面；以及

电磁屏蔽罩，包覆于所述绝缘层和所述芯片的侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层设于所述第二表面和所述芯片的侧面并包覆于所述第二表面和所述芯片的侧面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成，所述绝缘层的材质包含二氧化硅；或者，所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电磁屏蔽罩还设于所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分，所述第四表面的未被所述芯片覆盖的该部分无电路走线而形成无讯号电路区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

胶层，设于所述第四表面，并被配置为使所述芯片通过所述胶层固定于所述基板；

其中，所述胶层的边缘沿所述第四表面凸出于所述芯片侧面，所述电磁屏蔽罩还设于所述胶层的凸出于所述芯片侧面的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一塑封层，包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分，所述第一塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧；

第二塑封层，包覆于所述芯片的第一表面的对应于所述窗口的部分和所述基板的第三表面的邻接于所述窗口的部分，所述第二塑封层填充所述窗口；以及

金属引线，穿设于所述窗口并连接于所述第三表面与所述第一表面之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板开设有呈阵列状分布的多个所述窗口，所述半导体结构包括多个所述芯片，多个所述芯片分别与多个所述窗口相对应地分布；其中，所述电磁屏蔽罩设于各所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分。

8.一种半导体结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆；

切割所述晶圆形成多个芯片，所述晶圆的正面和背面分别形成所述芯片的相对设置的第一表面和第二表面，且所述芯片具有位于第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面；

将所述芯片置入高温通氧环境中，使所述芯片的第二表面和侧面由自身的硅经氧化反应形成二氧化硅绝缘层；

制备基板，所述基板具有相对设置的第三表面和第四表面，所述基板开设有贯通所述第三表面和所述第四表面的窗口；

将所述芯片固定于所述基板，所述芯片是以第一表面固定于所述基板的第四表面，且所述芯片覆盖所述窗口；以及

封装所述芯片和所述基板。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

在封装之前，在所述芯片的第二表面和侧面沉积金属材料形成电磁屏蔽罩。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

将晶圆以其正面朝下放置于晶圆载板；

其中，切割所述晶圆时，是将放置在所述晶圆载板上的晶圆进行切割而形成多个所述芯片，所述芯片以其第一表面朝下放置于所述晶圆载板；和/或，形成绝缘层时，是将放置在所述晶圆载板上的芯片置入高温通氧环境中。

11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1～7任一项所述的半导体结构。