[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备有效
申请号: | 201911197893.2 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111313859B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 庞慰;杨清瑞;张孟伦 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02;H03H9/54 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 及其 制造 方法 滤波器 电子设备 | ||
1.一种体声波谐振器,包括:
基底;
声学镜;
底电极,具有底电极引脚;
顶电极,具有顶电极引脚;
压电层,设置在底电极与顶电极之间,
其中:
由底电极、顶电极与压电层组成的三明治结构与基底上表面之间存在第一间隙,所述第一间隙使得谐振器的由底电极、压电层与顶电极形成的主体谐振结构与基底无接触。
2.根据权利要求1所述的谐振器,还包括:
保护结构层,所述保护结构层包括第一部分与第二部分,所述第一部分连接到基底的上表面,所述第二部分的外端与第一部分的内端连接,第二部分沿着压电层延伸到所述压电层上方且第二部分的至少一部分与压电层在厚度方向上形成第二间隙,且所述第二部分在横向方向上与顶电极间隔开。
3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述第二间隙延伸过所述第二部分的整个部分,所述第二部分的内端与压电层在谐振器的厚度方向上间隔开。
4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:
所述第二部分的内端与所述底电极边缘在谐振器的厚度方向上的投影存在重叠。
5.根据权利要求3所述的谐振器,其中:
所述第二部分的内端与所述底电极边缘在谐振器的厚度方向上的投影彼此间隔开。
6.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述第二部分的内端与所述压电层相接。
7.根据权利要求6所述的谐振器,其中:
所述第二部分的内端与所述底电极在谐振器的厚度方向上的投影彼此间隔开。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
第一间隙与第二间隙相通。
9.根据权利要求8所述的谐振器,其中:
所述声学镜为声学镜空腔,所述第一间隙与所述声学镜空腔相通。
10.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
所述保护结构层还包括设置于其上的钝化层。
11.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
所述第一间隙的厚度在的范围内,进一步在和/或
所述第二间隙的厚度在的范围内,进一步在
12.根据权利要求1-3、5-7中任一项所述的谐振器,其中:
所述底电极在谐振器的厚度方向上的投影落入到声学镜的范围内。
13.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
顶电极引脚与底电极引脚位于谐振器的在横向方向上的相对侧;
所述保护结构层沿谐振器有效区域的周边布置,且在周向方向上包括被顶电极引脚与底电极引脚所分隔开的第一周向部分与第二周向部分。
14.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
顶电极引脚与底电极引脚位于谐振器的横向方向上的同一侧;
所述保护结构层沿谐振器有效区域的周边布置,且在谐振器的俯视图中顶电极引脚与底电极引脚位于保护结构层在周向方向上的缺口处。
15.根据权利要求2-7中任一项所述的谐振器,其中:
保护结构层与顶电极材料相同。
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