[发明专利]一种电平转换电路及电平转换方法有效
| 申请号: | 201911194614.7 | 申请日: | 2019-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN110729995B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 邹志革;徐文韬;邹雪城;皮庆广;童乔凌 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电平 转换 电路 方法 | ||
1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:差分共栅放大器、偏置电压产生单元、阈值电压产生单元以及迟滞反相器;
所述差分共栅放大器包括:电流镜、第一NMOS管以及第二NMOS管;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极共接于同一个偏置电压;所述第一NMOS管的漏极连接电流镜的一侧,所述第二NMOS管的漏极连接电流镜的另一侧;所述第一NMOS管的源极接入输入电压,第二NMOS管的源极接入阈值电压;所述第一NMOS管和第二NMOS管分别将输入电压和阈值电压转换成对应的电流,输入到电流镜的两侧;所述电流镜将从第一NMOS管和第二NMOS管输入的两个电流比较,并转换成对应的电压从电流镜的另一侧输出;
所述偏置电压产生单元包括:第三NMOS管和第一电流源;所述第三NMOS管的源级接地,第三NMOS管的栅极与漏极短接并连接到第一电流源的输出端,第一电流源的输入端接电源电压;所述第三NMOS管的栅极输出所述偏置电压;
所述阈值电压产生单元,用于产生所述阈值电压;所述阈值电压产生单元包括:第四NMOS管;所述第四NMOS管的栅极连接电源电压,第四NMOS管的源极接地,第四NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极;通过控制第四NMOS管的工艺控制第四NMOS管的漏极电压,所述第四NMOS的漏极电压即为所述阈值电压,所述第四NMOS管的漏极电压可控制到0.1V以内;
所述迟滞反相器的第一输入端接入所述电流镜另一侧输出的电压,第二输入端接入电源电压;所述迟滞反相器的输出电压为电平转换电路的输出电压;
当所述输入电压大于阈值电压时,所述电流镜输出的电压为零,此时,所述迟滞反相器的输出电压为所述电源电压,即当输入电压大于阈值电压时,电平转换电路的输出电压为电源电压,实现了输入电压到电源电压的转换。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述电流镜包括:第一PMOS管和第二PMOS管;
第一PMOS管的源级和第二PMOS管的源极均接入所述电源电压;所述第一PMOS管的漏极与栅极短接并与第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极连接;
第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连。
3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述阈值电压产生单元还包括:电阻;
所述电阻的一端连接第四NMOS管的漏极,所述电阻的另一端连接所述第二NMOS管的源极。
4.一种电平转换方法,其特征在于,所述电平转换方法通过权利要求1至3任一项所述的电平转换电路实现,所述电平转换方法包括如下步骤:
通过差分共栅放大器实现输入电压和阈值电压的比较放大;当输入电压大于阈值电压时,比较放大输出的电压值为0V;
通过迟滞反相器对差分共栅放大器的输出电压实现转换,当差分共栅放大器输出电压为0V时,迟滞反相器输出电源电压,实现输入电压到电源电压的电平转换。
5.根据权利要求4所述的电平转换方法,其特征在于,还包括如下步骤:
将NMOS管漏极电压作为所述阈值电压,通过NMOS管的工艺控制NMOS管的漏极电压在0.1V以内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911194614.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





