[发明专利]发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201911193862.X | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111384103A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 林東赫;全珉哲 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
基板,所述基板具有有源区域和所述有源区域周围的边缘区域;
所述有源区域中的多个子像素;
有机发光二极管,所述有机发光二极管包括在每个子像素处层叠的第一电极、第一公共层、发光层、第二公共层和第二电极;
第一公共层延伸部,所述第一公共层延伸部被配置为从所述第一公共层向所述边缘区域延伸;
导电性改善层,所述导电性改善层被配置为在位于所述基板的至少一侧的所述边缘区域中接触所述第一公共层延伸部的上表面;以及
第二电极延伸部,所述第二电极延伸部被配置为从所述第二电极向所述边缘区域延伸并与所述导电性改善层重叠,并被设置成比所述导电性改善层更靠近所述边缘区域的边缘。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层至少设置在位于所述基板的彼此相对的第一侧和第二侧的所述边缘区域中。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层包括用于形成所述第一公共层的材料中的p型掺杂剂。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中,在位于所述基板的所述第一侧和所述第二侧的所述边缘区域中设置的所述导电性改善层中的所述p型掺杂剂的位置在垂直方向上不同。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第一公共层延伸部在所述基板的所述第一侧与所述第二侧之间直接接触另一公共层延伸部。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层降低在垂直方向上位于所述第二电极延伸部下方的所述第一公共层延伸部的薄层电阻。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述有源区域中的所述第一公共层的厚度大于位于所述基板的至少一侧的所述边缘区域中的所述第一公共层延伸部的厚度。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层与所述有源区域间隔开。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括第二公共层延伸部,所述第二公共层延伸部被配置为从所述第二公共层延伸并且设置在所述边缘区域中。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置,其中,所述第二公共层延伸部接触所述导电性改善层的上表面。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中,所述第二公共层延伸部的下表面接触所述第二公共层延伸部的上表面和侧表面。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层突出为比所述第二公共层延伸部更靠近所述边缘区域的最外边缘。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置,其中,所述第二电极延伸部的下表面接触所述第二公共层延伸部的上表面和侧表面以及从更靠近所述边缘区域的所述最外边缘的所述第二公共层延伸部突出的所述第一公共层延伸部的侧表面。
14.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第二公共层和所述第二公共层延伸部包括电子传输有机物或电子注入有机物作为主要成分;并且
所述第一公共层和所述第一公共层延伸部包括空穴传输有机物作为主要成分。
15.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括空穴注入虚拟层,所述空穴注入虚拟层与所述第一公共层和所述第一公共层延伸部的下表面接触。
16.根据权利要求15所述的发光显示装置,其中,所述导电性改善层和所述空穴注入虚拟层包括相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的