[发明专利]发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管模块的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；

采用激光剥离的方式去除所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的透明基板；

在所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；

在所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成一条直线，或者，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形时，所述制作方法还包括：

在所述绿光芯片中的电子产生层远离所述红光芯片和所述蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述半透明薄膜和所述电子产生层未形成所述半透明薄膜的区域上形成透明导电薄膜。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成散射层，所述散射层与所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片相对设置，且所述散射层和所述电路板分别位于所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片的两侧。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层；

在所述GaAs缓冲层上生长晶格引导层，所述晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，所述GaInP层中Ga组分的含量、所述AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、均与所述AlInP层中Al组分的含量相等；

在所述晶格引导层上依次生长N型AlInP限制层、电子产生层、有源层和空穴产生层，形成制作所述红光芯片的外延片。

7.一种发光二极管模块，其特征在于，所述发光二极管模块包括电路板(10)和分别设置在所述电路板(10)上的红光芯片(21)、绿光芯片(22)和蓝光芯片(23)，所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)分别与所述绿光芯片(22)相对设置，所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)均包括依次层叠在所述电路板(10)上的P型电极(31)、透明导电层(32)、空穴产生层(33)、有源层(34)、电子产生层(35)和N型电极(36)，所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)中的电子产生层(35)远离所述绿光芯片(22)的区域上设有半透明薄膜(37)。

8.根据权利要求7所述的发光二极管模块，其特征在于，所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)排成品字形，所述绿光芯片(22)中的电子产生层(35)远离所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)的区域上形成半透明薄膜(37)。

9.根据权利要求7或8所述的发光二极管模块，其特征在于，所述发光二极管模块还包括散射层(50)，所述散射层(50)与所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)相对设置，且所述散射层(50)和所述电路板(10)分别位于所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)的两侧。

10.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括GaAs衬底(41)以及依次层叠在所述GaAs衬底(41)上的GaAs缓冲层(42)、晶格引导层(43)、N型AlInP限制层(44)、电子产生层(35)、有源层(34)和空穴产生层(33)，所述晶格引导层(43)由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构(431)、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构(432)和GaAs层/AlInP层超晶格结构(433)组成，所述GaInP层(431b)中Ga组分的含量、所述AlGaInP层(432b)中Al组分和Ga组分的含量之和、均与所述AlInP层(433b)中Al组分的含量相等。