[发明专利]负极及包含其的电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极，其包括硅基颗粒和石墨颗粒，其中距离所述硅基颗粒边缘的垂直距离为0-6μm范围内存在的石墨颗粒数为N，基于所述硅基颗粒的总数量计，大于50％的硅基颗粒满足：6≤N≤17。

2.根据权利要求1所述的负极，其中所述硅基颗粒在X射线衍射图案中2θ归属于28.0°-29.0°范围内最高强度数值为I₂，归属于20.5°-21.5°范围内最高强度数值为I₁，其中0I₂/I₁≤1。

3.根据权利要求1所述的负极，其中所述硅基颗粒的粒径分布满足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。

4.根据权利要求1所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

5.根据权利要求1所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

6.根据权利要求2所述的负极，其中所述硅基颗粒的粒径分布满足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。

7.根据权利要求2所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

8.根据权利要求2所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

9.根据权利要求3所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

10.根据权利要求3所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

11.根据权利要求4所述的负极，其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层，所述聚合物层包覆所述氧化物MeO_y层的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

12.根据权利要求6所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

13.根据权利要求6所述的负极，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

14.根据权利要求9所述的负极，其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层，所述聚合物层包覆所述氧化物MeOy层的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。