[发明专利]用于化学机械研磨系统的平台

说明书

本公开实施例提供一种用于化学机械研磨系统的平台。上述平台包括在平台之中的一或多个凹部，以安置用于研磨/平坦化工艺的各种构件。平台包括第一凹部以及第二凹部。第一凹部位于第二凹部之下。终点检测器放置在第一凹部中，且检测器盖可被放置在第二凹部中。密封装置被提供在终点检测器与检测器盖之间的空间，以防止任何外部或外来的材料接触终点检测器。拴件被用以将检测器盖拴至平台，也提供附加的防护以防止外来的材料接触被容纳在凹部的构件。

技术领域

本公开实施例涉及一种平台，尤其涉及一种用于化学机械研磨系统的平台。

背景技术

化学机械研磨或化学机械平坦化(chemical mechanical polishing/chemicalmechanical planarization，CMP)在半导体制造中是很重要的步骤。化学机械研磨/平坦化运用化学及机械交互作用而结合的效果以研磨及平坦化表面。也就是说，化学机械研磨/平坦化是被用以达成一或多个材料层的实质上平坦且平滑的表面，例如工件(例如半导体晶片)上的半导体、电介质及金属化层。当目的为去除表面材料时，CMP是指化学机械研磨。另一方面，当目的为将表面扁平化时，CMP是指化学机械平坦化。此制造工艺是用以制作例如集成电路、微处理器、存储器晶片等。

用于研磨及平坦化工件上的材料层的化学机械研磨/平坦化工艺的其中一步骤为在工件及垫之间分配化学研磨浆，且此工件被施加下压力(downforce)而接触此垫。研磨浆(slurry)通常为具有磨料及腐蚀特征的腐蚀剂。为了以后的使用，在研磨浆被施加且化学机械研磨/平坦化工艺完成之后，垫及支持垫的平台的研磨浆残留物被清除。

发明内容

本公开实施例提供一种用于化学机械研磨系统的平台，包括：一单元式平台、一第一凹部部分以及一第二凹部部分。单元式平台包括在平台的面上的上方表面、在平台的相反面的下方表面以及一轴，且在操作中平台绕着轴旋转；第一凹部部分在平台的上方表面中，第一凹部部分具有从上方表面延伸至平台之中的深度，以及平行上方表面的横向尺寸；第二凹部部分在平台中，第二凹部部分具有深度且从第一凹部部分的底部朝向平台的下方表面而延伸至平台之中，第二凹部部分具有平行上方表面的横向尺寸，第二凹部部分的横向尺寸与第一凹部部分的横向尺寸不同。

本公开实施例提供一种化学机械研磨系统，包括：一平台以及一驱动组件。驱动组件耦接至平台，驱动组件配置以在一选定方向旋转平台。上述平台包括：一单元式平台、一第一凹部部分以及一第二凹部部分。单元式平台包括在平台的面上的垫表面、在平台的相反面上的驱动组件表面以及一轴，且在操作中平台绕着轴旋转；第一凹部部分从单元式平台的垫表面朝向驱动组件表面而延伸；第二凹部部分从第一凹部部分的底部朝向驱动组件表面而延伸至单元式平台之中，在第一凹部部分的底部及第二凹部部分的底部之间的距离比在垫表面及第一凹部部分的底部之间的距离更长。

本公开实施例提供一种化学机械研磨系统，包括：一平台，配置以安装一基板，上述平台包括：一单元式平台、一第一凹部部分、一第二凹部部分以及一第三凹部部分。单元式平台包括在平台的面上的第一表面、在平台的相反面上的第二表面、以及邻接至第二表面的一轴，且在操作中单元式平台绕着轴旋转；第一凹部部分从单元式平台的第一表面朝向第二表面而延伸；第二凹部部分从第一凹部部分的底部朝向第二表面而延伸至单元式平台之中，在第一凹部部分的底部及第二凹部部分的底部之间的距离比在第一表面及第一凹部部分的底部之间的距离更长；第三凹部部分从第二凹部部分的底部朝向单元式平台的第二表面而延伸。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应被强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1根据本公开的一实施例概要地示出部分化学机械研磨装置的立体图。

图2为相关技术的一般化学机械研磨装置的剖面图。