[发明专利]发光堆叠件和照明装置在审
| 申请号: | 201911191474.8 | 申请日: | 2018-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN111312701A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 蔡钟炫;金彰渊;李豪埈;张成逵;李贞勳;赵大成 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L25/13;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;张川绪 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 堆叠 照明 装置 | ||
1.一种发光堆叠件,包括:
第一外延堆叠件,发射第一颜色光;
第二外延堆叠件,堆叠在所述第一外延堆叠件上且发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光;以及
电极部分,设置在所述第二外延堆叠件上,并电连接到所述第一外延堆叠件和第二外延堆叠件,
其中,所述第一外延堆叠件的发光区域和第二外延堆叠件的发光区域彼此重叠,且沿下部方向发射光。
2.根据权利要求1所述的发光堆叠件,其中,
所述第一颜色光的波长比所述第二颜色光的波长短。
3.根据权利要求2所述的发光堆叠件,其中,
所述第一颜色光是蓝光,所述第二颜色光是红光。
4.根据权利要求1所述的发光堆叠件,其中,
所述第一外延堆叠件和第二外延堆叠件彼此独立地被驱动。
5.根据权利要求1所述的发光堆叠件,其中,
从所述第二外延堆叠件发射的光透过所述第一外延堆叠件而传播。
6.根据权利要求5所述的发光堆叠件,其中,
所述第一外延堆叠件使来自所述第二外延堆叠件的光的80%以上透过。
7.根据权利要求1所述的发光堆叠件,其中,
所述第一外延堆叠件和第二外延堆叠件中的至少一个的下表面具有凹凸部分。
8.根据权利要求1所述的发光堆叠件,还包括:
粘合层,设置在所述第一外延堆叠件与第二外延堆叠件之间。
9.根据权利要求6所述的发光堆叠件,还包括:
长波通滤波器,设置在所述第一外延堆叠件与所述粘合层之间。
10.根据权利要求1所述的发光堆叠件,其中,
所述第一外延堆叠件包括:
第一外延堆叠件的n型半导体层;
第一外延堆叠件的有源层,设置在所述第一外延堆叠件的n型半导体层上;
第一外延堆叠件的p型半导体层,设置在所述第一外延堆叠件的有源层上;以及
第一p型接触电极,设置在所述第一外延堆叠件的p型半导体层上。
11.根据权利要求10所述的发光堆叠件,其中,
所述第一p型接触电极包括透明导电材料。
12.根据权利要求11所述的发光堆叠件,包括:
当在平面图中观看时,与发光区域相邻设置的外围区域,
其中,所述第一p型接触电极被设置为与所述发光区域重叠。
13.根据权利要求10所述的发光堆叠件,其中,
所述第二外延堆叠件包括:
第二n型半导体层;
第二外延堆叠件的有源层,设置在所述第二n型半导体层上;
第二外延堆叠件的p型半导体层,设置在所述第二外延堆叠件的有源层上;
第二n型接触电极,设置在所述第二n型半导体层上;以及
第二p型接触电极,设置在所述第二外延堆叠件的p型半导体层上。
14.根据权利要求13所述的发光堆叠件,其中,所述第二p型接触电极包括反射材料。
15.根据权利要求13所述的发光堆叠件,其中,所述电极部分包括:
公共电极,连接到所述第一p型接触电极和所述第二p型接触电极;
第一信号电极,连接到所述第一外延堆叠件的n型半导体层;以及
第二信号电极,连接到所述第二n型半导体层。
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