[发明专利]狄拉克节点球半金属及其制备与应用方法有效

专利信息
申请号: 201911191203.2 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN110923647B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 侯文杰;张学莹;赵巍胜;聂天晓 申请(专利权)人: 北京航空航天大学青岛研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 代理人: 陈磊
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 狄拉克 节点 金属 及其 制备 应用 方法
【权利要求书】:

1.一种狄拉克节点球半金属,其特征在于:晶体结构是以有序的L12相的Cu3Au为基础结构,将第VB族过渡金属原子X和第V主族原子Y构成面心立方结构(fcc)X3Y;

处于面心的原子是第VB族过渡金属,8个顶点处的原子为第V主族金属;

所述狄拉克节点球半金属具有鼓膜状的拓扑表面态,三维动量空间中狄拉克点构成球壳状。

2.根据权利要求1所述的狄拉克节点球半金属,其特征在于:狄拉克半金属材料为Ta3Bi。

3.制备如权利要求1或2任一项所述的狄拉克节点球半金属的方法,其特征在于:取用单晶硅作为衬底,采用多源(multi-source)方法生长X3Y合金;

实施步骤包括,在纯X金属靶上放置不同数量的Y金属条进行磁控溅射;

将Y金属条沿X金属靶的轴心呈发散状放置,直至X金属和Y金属的组分之比为3:1时,完成狄拉克节点球半金属合金的制备。

4.一种如权利要求1或2任一项所述的狄拉克节点球半金属或采用权利要求3所述制备方法制备得到的狄拉克节点球半金属应用于磁隧道结(MTJ)元件中的方法。

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