[发明专利]SnSe2

权利要求书

1.一种SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件，包括H-TiO₂纳米管阵列层和覆盖于H-TiO₂纳米管阵列层上的SnSe₂纳米层。

2.一种权利要求1所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)采用阳极氧化法制备不定型TiO_x纳米管阵列；

(2)将不定型TiO_x纳米管阵列进行退火处理，得到TiO₂纳米管阵列；

(3)以硒粉与SnCl₄·5H₂O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO₂纳米管阵列表面沉积SnSe₂纳米层，沉积SnSe₂纳米层时同时通入氢气，将TiO₂氢化为H-TiO₂，即得到SnSe₂/H-TiO₂异质结。

3.根据权利要求2所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，退火处理是以1-5℃/min的升温速率升温至400-600℃退火1-5h。

4.根据权利要求2所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，硒粉与SnCl₄·5H₂O的摩尔比为1:1-3:1。

5.根据权利要求2-4任一项所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，化学气相沉积过程，将硒粉放入位于上游中心加热区的一个石英舟中，将SnCl₄·5H₂O固体置于位于双温区管式炉下游中心加热区的另一个石英舟中，TiO₂纳米管置于下游区域的末端，距离下游加热中心7cm。

6.根据权利要求5所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，下游中心加热区在大气压力下加热温度为450～650℃，同时上游中心加热区加热温度为350～450℃。

7.根据权利要求6所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，在进行化学气相沉积过程中，在温度到达预设温度后通入氩气和氢气组成的混合气体，通气时间为15min，其中氩气的流速为60s.c.c.m，氢气的流速为20s.c.c.m；停止通入氢气后，将氩气的流速转换为80s.c.c.m，并将温度降至室温。

8.根据权利要求7所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，在进行化学气相沉积开始加热前，CVD系统用高纯度氩气(99.99％)通入30min排除空气，氩气的流速为80s.c.c.m。

9.根据权利要求6-8任一项所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，采用阳极氧化法制备不定型TiO_x纳米管阵列的过程如下：将钛片放入由乙二醇、氟化铵和蒸馏水配置的电解夜中进行阳极氧化。

10.根据权利要求9所述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，其特征在于，电解液中氟化铵与蒸馏水的质量体积比为0.072:1(g/ml)；乙二醇与蒸馏水的体积比为20:1；阳极氧化的电压为40-70V，阳极氧化时间为1-5小时。