[发明专利]量子点材料及其制备方法、量子点发光器件、显示装置

说明书

本申请公开了量子点材料及其制备方法、量子点发光器件、显示装置，用以避免配体从量子点表面脱落，提高量子点产率。本申请实施例提供的一种量子点材料，所述量子点材料包括：量子点，以及与所述量子点配位的多个配体；与一个所述量子点配位的相邻的所述配体之间相互交联。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及量子点材料及其制备方法、量子点发光器件、显示装置。

背景技术

量子点电致发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)显示器件是一种电致发光器件，在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入量子点发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子。随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化和电荷有效输运等研究的持续深入，QLED显示器件将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。

在QLED显示器件中，量子点作为发光层起着至关重要的作用，量子点由于尺寸很小，比表面积大，表面有很多未被电子占据的空轨道，如果激发的电子被这些空轨道捕捉掉，这些电子就不会回迁发出光子，从而造成荧光淬灭，因此，在量子点的应用中，通常利用有机分子作为配体来钝化量子点表面，即消除表面的俘获状态从而提高光致发光量子产率。然而，由于配体的配位端与量子点的结合力较弱，导致配体容易脱落，造成量子点表面的缺陷增多，导致量子产率大幅度下降。

综上，现有技术量子点发光层中的量子点材料配体与量子点结合力差，配体容易从量子点表面脱落导致量子点表面缺陷增多，导致量子点产率下降，影响QLED显示器件的性能。

发明内容

本申请实施例提供了量子点材料及其制备方法、量子点发光器件、显示装置，用以避免配体从量子点表面脱落，提高量子点产率。

本申请实施例提供的一种量子点材料，所述量子点材料包括：量子点，以及与所述量子点配位的多个配体；与一个所述量子点配位的相邻的所述配体之间相互交联。

本申请实施例提供的量子点材料，一个量子点上相邻的配体之间相互交联，交联的配体相当于在量子点表面形成致密的保护层，以保护配体不易从量子点上脱落，从而减少量子点表面的缺陷，提高量子点产率。

可选地，所述配体包括：与所述量子点配位连接的第一配位基团，以及与所述第一配位基团连接的交联基团；相邻的所述交联基团之间相互交联。

本申请实施例提供的量子点材料，由于配体包括交联基团，交联基团在光照下可以快速交联，从而在量子点表面形成致密的保护层，以保护配体不易从量子点上脱落，从而减少量子点表面的缺陷，提高量子点产率。

可选地，所述配体还包括：与所述交联基团连接的增溶基团。

本申请实施例提供的量子点材料，配体包括增溶基团，从而可以对配体的溶解度进行调节，从而调节配体的溶解度与量子点的溶解度的兼容性，便于量子点材料分散成膜。并且，配体在量子点表面呈现圆形发射状分布，交联基团和第一配位基团连接，从而交联基团和与量子点配位的基团距离较近，因此，对于一个量子点上靠近配位点的交联基团，在交联时大概率会发生自交联，而不是相邻量子点上的配体之间发生交联。

可选地，所述第一配位基团包括下列之一或其组合：羧基、氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦、氧膦；

所述交联基团包括下列之一或其组合：烯烃、炔烃、叠氮、氰基、酯基、醛基、羰基；

所述增溶基团包括下列之一或其组合：乙基、正丁基、叔丁基、正辛基、叔丁基苯基、甲氧基、正丁氧基、十二烷基。

本申请实施例提供的一种量子点材料的制备方法，所述方法包括：

制备配体，以及制备量子点；