[发明专利]非接触式宽温差红外温度测量方法

权利要求书

1.一种非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤1：设置测量系统，在温箱中设置黑体、探测器、成像仪和光学窗口；

步骤2：根据测温范围对探测器进行配置，确保成像仪在不同环境温度及不同的探测器配置下面对黑体不出现灰度饱和；

步骤3：在不同的环境温度下改变黑体温度，寻找出同一黑体温度下成像仪灰度输出与焦平面温度的关系，获得灰度-焦平面温度拟合曲线；

步骤4：实际测温时，根据当前焦平面温度，带入灰度-焦平面温度拟合曲线，得到不同黑体温度对应的待拟合灰度输出；

步骤5：根据多个待拟合灰度输出与定标黑体温度，实时拟合出灰度-温度曲线，将当前像素灰度带入该曲线，即可得到最终的测温温度输出。

2.如权利要求1所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述方法所应用的工作环境温度范围为0℃～40℃。

3.如权利要求2所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述方法所进行的测温范围为5℃～300℃。

4.如权利要求3所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述步骤2中对探测器进行的配置分为：常温段配置、次高温段配置、高温段配置。

5.如权利要求4所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述常温配置面对黑体的常温场景，通过调节探测器的参数，来保证成像仪具有更高的温度分辨率和更好的NETD指标。

6.如权利要求5所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述常温场景为5℃～80℃。

7.如权利要求4所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述次高温段配置面对黑体的次高温度场景，通过上位机GNV发送指令来缩短积分时间为2005，减小积分电容为1.5X。

8.如权利要求7所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述次高温度场景为80℃～200℃。

9.如权利要求4所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述高温段配置面对黑体的高温场景，通过上位机GNV发送指令来减小积分时间为1890，缩小积分电容为1.0X。

10.如权利要求9所述的非接触式宽温差红外温度测量方法，其特征在于，所述高温场景为200℃～300℃。