[发明专利]复合型碳薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种复合型碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将碳靶材和能量密度贡献主体元素靶材在真空条件下进行磁控溅射处理，在基体上生长复合型碳薄膜层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述能量密度贡献主体元素靶材包括硅、锗、锌、锡、钛、钼、钒、锰、钛氧化物、硅氧化物、锡氧化物、钒氧化物中的至少一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射处理的溅射功率满足：溅射所述碳靶材功率与溅射能量密度贡献主体元素靶材的功率比为10:1～1:10。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：在所述磁控溅射处理过程中，所述基体的温度控制为100℃-800℃；和/或

所述溅射气氛为氮气、氩气中的至少一种或混合气体气氛。

5.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于：所述基体与所述碳靶材和能量密度贡献主体元素靶材之间的间距优选为30-90mm。

6.一种复合型碳薄膜，其特征在于：所述复合型碳薄膜是根据权利要求1-5任一项所述的制备方法制备获得。

7.如权利要求6所述的复合型碳薄膜，其特征在于：所述复合型碳薄膜层的厚度为50nm-10μm。

8.一种电极片，所述电极片为权利要求1-5任一项所述的制备方法制备获得；其中，所述基体为集流体。

9.如权利要求8所述的电极片是在锂离子电池或超级电容器中的应用。