[发明专利]一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201911189443.9 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110890406B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 背板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示背板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的像素区域形成阳极;
在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构;
同时在所述像素区域形成有机发光层、在所述非像素区域形成有机材料结构;其中,所述有机发光层和所述有机材料结构断开;
在所述有机发光层和所述有机材料结构上形成阴极;其中,所述阴极和所述辅助阴极结构电连接;其中,
所述在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构,具体包括:
在所述非像素区域形成像素界定层的图形;
在所述像素界定层上连续形成至少两层导电薄膜;其中各所述导电薄膜的材料不同;
对靠近所述有机材料结构的导电薄膜进行刻蚀形成第二辅助阴极的图形;
以所述第二辅助阴极的图形为掩膜,对靠近所述衬底基板的导电薄膜进行刻蚀形成第一辅助阴极的图形;其中,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积;所述第一辅助阴极和所述第二辅助阴极构成所述辅助阴极结构;
或者,所述在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构,具体包括:
在衬底基板上连续形成至少两层导电薄膜;其中各所述导电薄膜的材料不同;
对靠近所述有机材料结构的导电薄膜进行刻蚀,在所述像素区域形成阳极的图形,同时在所述非像素区域形成第二辅助阴极的图形;
以所述阳极和所述第二辅助阴极的图形为掩膜,对靠近所述衬底基板的导电薄膜进行刻蚀,在所述像素区域形成反射金属层的图形,同时在所述非像素区域形成第一辅助阴极的图形;其中,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积;所述第一辅助阴极和所述第二辅助阴极构成所述辅助阴极结构。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成所述像素界定层之前,还包括:在所述阳极上沉积整面无机绝缘薄膜;
在形成所述辅助阴极结构之后,还包括:以所述像素界定层的图形为掩膜,对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,以在所述像素区域暴露出阳极,以及在所述非像素区域形成缓冲层。
3.一种有机发光显示背板,采用如权利要求1或2所述的制作方法制作,其特征在于,所述有机发光显示背板包括多个像素区域以及位于所述像素区域之间的非像素区域;在所述像素区域具有位于衬底基板上的阳极以及位于所述阳极上的有机发光层,在所述非像素区域具有位于所述衬底基板上的辅助阴极结构以及位于所述辅助阴极结构上的有机材料结构;所述有机发光层和所述有机材料结构断开;
所述显示背板还包括位于所述有机发光层和所述有机材料结构上的阴极,所述阴极和所述辅助阴极结构电连接;
所述非像素区域还包括位于所述衬底基板与所述辅助阴极结构之间的缓冲层,以及位于所述缓冲层和所述辅助阴极结构之间的像素界定层;
或,所述非像素区域还包括位于所述衬底基板上的像素界定层;所述像素界定层具有开口,所述辅助阴极结构位于所述开口内,且所述开口在所述衬底基板的正投影的面积大于所述辅助阴极结构在所述衬底基板的正投影的面积;所述像素区域还包括位于所述衬底基板与所述阳极之间的反射金属层,所述反射金属层用于反射所述有机发光层的光。
4.如权利要求3所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述辅助阴极结构中靠近所述有机材料结构的表面在所述衬底基板的正投影的面积大于靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板的正投影的面积。
5.如权利要求4所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述辅助阴极结构包括叠层设置的第一辅助阴极和第二辅助阴极,所述第一辅助阴极靠近所述衬底基板,所述第二辅助阴极靠近所述有机材料结构,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积。
6.如权利要求5所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述第一辅助阴极的材料为Mo,所述第二辅助阴极的材料为Al/Nd或Al/Nd/Mo。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的