[发明专利]一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置有效

专利信息
申请号: 201911189443.9 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN110890406B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 宋振;王国英;刘凤娟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 姚楠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 有机 发光 显示 背板 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示背板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板的像素区域形成阳极;

在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构;

同时在所述像素区域形成有机发光层、在所述非像素区域形成有机材料结构;其中,所述有机发光层和所述有机材料结构断开;

在所述有机发光层和所述有机材料结构上形成阴极;其中,所述阴极和所述辅助阴极结构电连接;其中,

所述在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构,具体包括:

在所述非像素区域形成像素界定层的图形;

在所述像素界定层上连续形成至少两层导电薄膜;其中各所述导电薄膜的材料不同;

对靠近所述有机材料结构的导电薄膜进行刻蚀形成第二辅助阴极的图形;

以所述第二辅助阴极的图形为掩膜,对靠近所述衬底基板的导电薄膜进行刻蚀形成第一辅助阴极的图形;其中,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积;所述第一辅助阴极和所述第二辅助阴极构成所述辅助阴极结构;

或者,所述在衬底基板的非像素区域形成辅助阴极结构,具体包括:

在衬底基板上连续形成至少两层导电薄膜;其中各所述导电薄膜的材料不同;

对靠近所述有机材料结构的导电薄膜进行刻蚀,在所述像素区域形成阳极的图形,同时在所述非像素区域形成第二辅助阴极的图形;

以所述阳极和所述第二辅助阴极的图形为掩膜,对靠近所述衬底基板的导电薄膜进行刻蚀,在所述像素区域形成反射金属层的图形,同时在所述非像素区域形成第一辅助阴极的图形;其中,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积;所述第一辅助阴极和所述第二辅助阴极构成所述辅助阴极结构。

2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成所述像素界定层之前,还包括:在所述阳极上沉积整面无机绝缘薄膜;

在形成所述辅助阴极结构之后,还包括:以所述像素界定层的图形为掩膜,对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,以在所述像素区域暴露出阳极,以及在所述非像素区域形成缓冲层。

3.一种有机发光显示背板,采用如权利要求1或2所述的制作方法制作,其特征在于,所述有机发光显示背板包括多个像素区域以及位于所述像素区域之间的非像素区域;在所述像素区域具有位于衬底基板上的阳极以及位于所述阳极上的有机发光层,在所述非像素区域具有位于所述衬底基板上的辅助阴极结构以及位于所述辅助阴极结构上的有机材料结构;所述有机发光层和所述有机材料结构断开;

所述显示背板还包括位于所述有机发光层和所述有机材料结构上的阴极,所述阴极和所述辅助阴极结构电连接;

所述非像素区域还包括位于所述衬底基板与所述辅助阴极结构之间的缓冲层,以及位于所述缓冲层和所述辅助阴极结构之间的像素界定层;

或,所述非像素区域还包括位于所述衬底基板上的像素界定层;所述像素界定层具有开口,所述辅助阴极结构位于所述开口内,且所述开口在所述衬底基板的正投影的面积大于所述辅助阴极结构在所述衬底基板的正投影的面积;所述像素区域还包括位于所述衬底基板与所述阳极之间的反射金属层,所述反射金属层用于反射所述有机发光层的光。

4.如权利要求3所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述辅助阴极结构中靠近所述有机材料结构的表面在所述衬底基板的正投影的面积大于靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板的正投影的面积。

5.如权利要求4所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述辅助阴极结构包括叠层设置的第一辅助阴极和第二辅助阴极,所述第一辅助阴极靠近所述衬底基板,所述第二辅助阴极靠近所述有机材料结构,所述第二辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积大于所述第一辅助阴极在所述衬底基板的正投影的面积。

6.如权利要求5所述的有机发光显示背板,其特征在于,所述第一辅助阴极的材料为Mo,所述第二辅助阴极的材料为Al/Nd或Al/Nd/Mo。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911189443.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top