[发明专利]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

以及位于所述衬底基板之上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管中的有源层为第一有源层，所述第一有源层采用硅基材料制作；所述第二晶体管中的有源层为第二有源层，所述第二有源层采用金属氧化物材料制作，所述第一有源层位于所述衬底基板与所述第二有源层之间；

其中，所述第一晶体管中的栅极为第一栅极，所述第二晶体管中的栅极为第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影交叠，且所述第一栅极与所述第二栅极均位于所述第一有源层与所述第二有源层之间。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板之上的电容，所述电容包括相对而置的第一电极和第二电极；

所述第一栅极复用为所述第一电极，所述第二栅极复用为所述第二电极。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极在所述衬底基板上具有第一投影，所述第二栅极在所述衬底基板上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影内。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二投影的面积小于所述第一投影的面积。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一投影与所述第二投影的形状相同，且所述第二投影的外轮廓与所述第一投影的外轮廓之间的最大间距为第一距离，所述第一距离小于所述第一投影的第一长度；

其中，所述第一投影为圆形或椭圆形，所述第一长度为所述第一投影的最大直径；或，所述第一投影为四边形，所述第一长度为所述第一投影的最大边长。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一距离大于1微米且小于所述第一长度的三分之一。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二投影的外轮廓与所述第一投影的外轮廓之间任意位置处的间距均相等。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板之上的第一导电结构，所述第一导电结构位于所述第一有源层与所述第二有源层之间；

所述第一导电结构用于电连接所述第一有源层与所述第一晶体管中的源/漏极。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极的面积大于所述第二栅极的面积，所述第一导电结构与所述第二栅极同材质且同层设置。

10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管中的源/漏极与所述第二晶体管中的源/漏极同材质且同层设置。

11.如权利要求1-10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述硅基材料为低温多晶硅，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。

12.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板；

所述显示面板包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。