[发明专利]比较器

权利要求书

1.一种比较器，其特征在于，包括：第一级运放电路、第二级运放电路、偏置电路及钳位电路；其中，

所述第一级运放电路包括两个电压输入端及一个电压输出端；所述第一级运放电路的两个电压输入端用于输入待比较电压；

所述第二级运放电路与所述偏置电路及所述第一级运放电路的电压输出端相连接；

所述钳位电路与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，用于将所述第一级运放电路的电压输出端的最高电压钳位至预设电压。

2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述第一级运放电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；其中，

所述第一PMOS管的栅极与第一待比较电压相连接；

所述第二PMOS管的栅极与第二待比较电压相连接；

所述第三PMOS管的栅极与所述偏置电路相连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极相连接；

所述第一NMOS管的栅极与漏极短接，并与所述第一PMOS管的漏极相连接，所述第一NMOS管的源极接地；

所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极相连接作为所述第一级运放电路的电压输出端，所述第二NMOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述钳位电路包括第一开关管，所述第一开关管的控制端及电流输入端与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，所述第一开关管的电流输出端与所述第二NMOS的栅极相连接。

4.根据权利要求3所述的比较器，其特征在于，所述第一开关管包括NMOS管。

5.根据权利要求3所述的比较器，其特征在于，所述钳位电路还包括第二开关管，所述第二开关管的控制端及电流输入端与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，所述第二开关管的电流输出端与所述第二级运放电路的电压输出端相连接。

6.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述第二级运放电路包括：第四PMOS管及第三NMOS管；其中，

所述第四PMOS管的栅极与所述偏置电路相连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极相连接后作为所述第二级运放电路的电压输出端，所述第三NMOS管的源极接地。

7.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述偏置电路包括：第五PMOS管及电流源；其中，

所述第五PMOS管的栅极与所述第一级运放电路及所述第二级运放电路相连接，所述第五PMOS管的漏极与所述电流源相连接。

8.根据权利要求1、2、6或7所述的比较器，其特征在于，所述钳位电路包括开关管，所述开关管的控制端及电流输入端与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，所述开关管的电流输出端与所述第二级运放电路的输出端相连接。

9.根据权利要求8所述的比较器，其特征在于，所述开关管包括NMOS管。

10.根据权利要求1、2、6或7所述的比较器，其特征在于，所述钳位电路包括开关管，所述开关管的电流输入端与所述第一级运放电路的电压输出端相连接，所述开关管的控制端与偏置电压相连接，所述开关管的电流输出端接地。

11.根据权利要求10所述的比较器，其特征在于，所述开关管包括PMOS管或PNP型晶体管。