[发明专利]衬底处理装置在审
| 申请号: | 201911183895.6 | 申请日: | 2019-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN111261547A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
| 发明(设计)人: | 桑原丈二 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
本发明的目的在于提供一种能够提高衬底处理装置的处理量的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备搬送空间(32)、搬送机构(34a1、34b1)及热处理部(37a1、37b1)。搬送机构(34a1、34b1)设置在搬送空间(32)中。热处理部(37a1)、搬送空间(32)及热处理部(37b1)以依序排列在宽度方向(Y)的方式配置。热处理部(37a1)具备多个热处理单元(38a1)。多个热处理单元(38a1)以排列在前后方向的方式配置。热处理部(37b1)具备多个热处理单元(38b1)。多个热处理单元(38b1)以排列在前后方向的方式配置。搬送机构(34a1)将衬底(W)搬送到热处理单元(38a1)。搬送机构(34b1)将衬底(W)搬送到热处理单元(38b1)。
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置。衬底例如为半导体晶圆、液晶显示器用衬底、有机EL(Electroluminescence,电致发光)用衬底、FPD(Flat PanelDisplay,平板显示器)用衬底、光显示器用衬底、磁盘用衬底、光盘用衬底、磁光盘用衬底、光掩模用衬底及太阳电池用衬底。
背景技术
日本专利特开2017-41588号公报公开了一种衬底处理装置。以下,通过划括号来标记日本专利特开2017-41588号公报中所记载的符号。衬底处理装置(1)具备热处理块(BA)。热处理块(BA)具备搬送空间(AA)、主搬送机构(TAR)及主搬送机构(TAL)。主搬送机构(TAR)与主搬送机构(TAL)设置在搬送空间(AA)中。主搬送机构(TAR)与主搬送机构(TAL)分别搬送衬底。热处理块(BA)具备2个热处理单元(HAR)及2个热处理单元(HAL)。热处理单元(HAR)配置在搬送空间(AA)的右方。热处理单元(HAL)配置在搬送空间(AA)的左方。2个热处理单元(HAR)以排列在上下方向的方式配置。2个热处理单元(HAL)以排列在上下方向的方式配置。主搬送机构(TAR)向热处理单元(HAR)接近。主搬送机构(TAL)向热处理单元(HAL)接近。
发明内容
[发明要解决的问题]
要求进一步提高衬底处理装置的处理量(单位时间内能够处理的衬底的数量)。然而,就日本专利特开2017-41588号公报所示的衬底处理装置(1)的构成来说,难以进一步提高处理量。
本发明是鉴于这种情况而完成的,其目的在于提供一种能够提高衬底处理装置的处理量的衬底处理装置。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的,采用如下构成。即,本发明是一种衬底处理装置,具备:搬送空间,在前后方向上延伸;第1搬送机构,设置在所述搬送空间中;第2搬送机构,设置在所述搬送空间中;第1热处理部,对衬底进行热处理;及第2热处理部,对衬底进行热处理;且所述第1热处理部、所述搬送空间及第2热处理部以依序排列在与前后方向正交的宽度方向的方式配置,所述第1热处理部具备以排列在前后方向的方式配置,且对1片衬底进行热处理的多个第1热处理单元,所述第2热处理部具备以排列在前后方向的方式配置,且对1片衬底进行热处理的多个第2热处理单元,且所述第1搬送机构将衬底搬送到所述第1热处理单元,所述第2搬送机构将衬底搬送到所述第2热处理单元。
第1热处理部与搬送空间以排列在宽度方向的方式配置。第1热处理部具备多个第1热处理单元。第1热处理单元分别对1片衬底进行热处理。第1搬送机构将衬底搬送到第1热处理单元。
第2热处理部与搬送空间以排列在宽度方向的方式配置。更具体来说,搬送空间在宽度方向上配置在第1热处理部与第2热处理部之间。第2热处理部具备多个第2热处理单元。第2热处理单元分别对1片衬底进行热处理。第2搬送机构将衬底搬送到第2热处理单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





