[发明专利]一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法

权利要求书

1.一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)分别对同型号的SiC MOSFET分立器件一与SiC MOSFET分立器件二进行静态特性测试，测量其体二极管的正向IV特性；

2)再对上述SiC MOSFET分立器件一与SiC MOSFET分立器件二进行动态特性测试，测量其体二极管的反向恢复电流波形；

3)确定合适大小的重复浪涌电流，浪涌电流为SiC MOSFET分立器件额定电流的5—10倍，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估，确保功率循环期间SiC MOSFET分立器件一与SiC MOSFET分立器件二的瞬时温度不超过器件最大壳温；

4)对SiC MOSFET分立器件一的体二极管在常温下进行重复浪涌电流功率循环试验，再次测量静、动态特性；

5)对SiC MOSFET分立器件二的体二极管在高温100-150℃下进行重复浪涌电流功率循环试验，再次测量静、动态特性；

6)直至SiC MOSFET分立器件一、SiC MOSFET分立器件二的体二极管出现明显的静、动态特性退化，比较常温下与高温下的退化现象，分析高温下的退化机理。

2.根据权利要求1所述的一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，其特征在于，步骤4)和步骤5)中，进行重复浪涌电流功率循环试验2000—50000次。