[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法有效
| 申请号： | 201911181295.6 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111276426B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基片载置台 处理 装置 制造 方法 | ||
本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。
技术领域
本发明涉及基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了一种静电吸盘，其在基材上具有由氧化铝热喷涂膜形成的第1绝缘层和第2绝缘层，在第2绝缘层上形成有由具有与基材的线膨胀系数之差的绝对值在规定值以下的线膨胀系数的陶瓷热喷涂膜形成的第3绝缘层。作为陶瓷热喷涂膜的材质，在基材为铝的情况下，能够使用例如YF3、MgO、2MgO·SiO2等。利用专利文献1公开的静电吸盘和具有该静电吸盘的基片处理装置，能够抑制绝缘层的裂缝的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4994121号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供在平板显示器(Flat Panel Display，以下称为“FPD”)的制造过程中对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式提供一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其中：
包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，
在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，
上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，
上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。
发明效果
依照本发明，能够提供在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
图2是表示第1实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图3是表示第2实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图4是表示第3实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图5是表示第4实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图6是表示第5实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图7是表示第6实施方式的基片载置台的一例的截面图。
附图标记说明
10 处理容器
60 基片载置台
63 基材
66 静电吸盘
67 覆盖层
67a 载置面
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
