[发明专利]一种晶体抛光方法

说明书

本发明公开了一种晶体抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤，准备好待抛光晶体，对待抛晶体的待抛光面进行抛光处理；将抛光完成的晶体放置于清洗液中，通过超声波对其进行清洗；将清洗后的晶体放置于烘干箱中进行烘干；将烘干后的晶体放置于保温箱中，保存1至2小时后，晶体随保温箱空冷至室温取出；在抛光后，通过超声波进行清洗，避免了在清洗时晶体之间相互碰撞，减少了由于碰撞造成晶体表面缺陷或内部裂纹的可能，同时在晶体清洗后，引入了热处理的方法，主动利用退火处理表面缺陷，从而得到更理想的晶体表面。

技术领域

本发明涉及抛光领域，特别涉及一种晶体抛光方法。

背景技术

现阶段主要应用的抛光技术有：传统的机械抛光、化学抛光、电解抛光等；最新的化学机械抛光(CMP)、磁控抛光、流体抛光、超声抛光等。抛光不仅增加工件的美观，而且能够改善材料表面的耐腐蚀性、耐磨性及获得特殊性能。在电子设备、精密机械、仪器仪表、光学元件、医疗器械等领域应用广泛，选择合适的抛光方法和抛光工艺是提高产品质量的重要手段，比如说机械抛光，依靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光面的凸部而得到平滑面。作为传统的抛光工艺，有着完善的工艺流程。

本申请人发现：现有的抛光技术，虽然已经能将表面处理的很光滑，但是依然存在表面缺陷或者内部裂纹等问题，而这些问题有可能影响到晶体的性能，严重时使浸提器件失效。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种晶体抛光方法，以解决现有技术中现有的抛光技术，虽然已经能将表面处理的很光滑，但是依然存在表面缺陷或者内部裂纹等问题，而这些问题有可能影响到晶体的性能，严重时使浸提器件失效的技术问题。

基于上述目的本发明提供的一种晶体抛光方法，包括以下步骤，步骤一：准备好待抛光晶体，对待抛晶体的待抛光面进行抛光处理；

步骤二：将抛光完成的晶体放置于清洗液中，通过超声波对其进行清洗；

步骤三：将清洗后的晶体放置于烘干箱中进行烘干；

步骤四：将烘干后的晶体放置于保温箱中，保存1至2小时后，晶体随保温箱空冷至室温取出；

进一步的，步骤一中对晶体进行化学机械抛光处理，包括：

将晶体固定于抛光机中；

选取合适的粗抛光片；

对晶体进行粗抛光；

选取合适的精抛光片；

对晶体进行细抛光。

进一步的，在对晶体进行化学机械抛光处理的过程中不断将抛光液喷射在晶体的抛光表面。

进一步的，在步骤二中，所述超声波通过超声波发生器发出，所述超声波发生器设有若干个，并放置于清洗液中，且所述超声波发生器的发生端正对晶体表面的不同位置，在步骤二的一次清洗周期完成后，更换清洗液。

进一步的，在步骤三中，所述烘干箱中通过红外灯进行加热烘干。

进一步的，在步骤四中，所述保温箱的温度为10至15摄氏度。

本发明的有益效果：采用本发明的一种晶体抛光方法，在抛光后，通过超声波进行清洗，避免了在清洗时晶体之间相互碰撞，减少了由于碰撞造成晶体表面缺陷或内部裂纹的可能，同时在晶体清洗后，引入了热处理的方法，主动利用退火处理表面缺陷，从而得到更理想的晶体表面。

附图说明

图1为本发明实施例的具体实施方式的流程示意图；

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。