[发明专利]带有集成电容的玻璃基板及制备方法在审
| 申请号: | 201911178847.8 | 申请日: | 2019-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN111243862A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 奉建华;王文君;林彬;穆俊宏 | 申请(专利权)人: | 成都迈科科技有限公司 |
| 主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/10;H01G4/228;H01G4/38 |
| 代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 集成 电容 玻璃 制备 方法 | ||
1.带有集成电容的玻璃基板,其特征在于,在玻璃基板的局部区域设置有电容,所述电容的电容介质材料与玻璃基板的材料相同,电容的极板全部或局部嵌入玻璃基板,电容的电场方向平行于玻璃基板的表面。
2.如权利要求1所述的带有集成电容的玻璃基板,其特征在于,电容的两个极板分别在玻璃基板的上表面和下表面引出。
3.如权利要求1所述的带有集成电容的玻璃基板,其特征在于,电容的两个极板皆在玻璃基板同一表面引出。
4.如权利要求1所述的带有集成电容的玻璃基板,其特征在于,所述玻璃基板的材料为Li-Al-Si体系光敏玻璃。
5.如权利要求1所述的带有集成电容的玻璃基板的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
A、采用掩膜,将Li-Al-Si体系光敏玻璃按照特定图形进行紫外光照处理,然后退火,所述特定图形为构成电容单体或者电容组的图形;
B、退火后的玻璃进行刻蚀,形成刻蚀孔,然后清洗;
C、去除掩膜,将刻蚀孔部分进行金属化填充,形成电容极板,并作金属键合处理。
6.如权利要求5所述的带有集成电容的玻璃基板的制备方法,其特征在于,所述刻蚀孔为盲孔。
7.如权利要求5所述的带有集成电容的玻璃基板的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,紫外光波长为1-400nm,能量为1-20mJ/cm2,退火温度范围300-800℃。
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