[发明专利]一种突波吸收器

说明书

一种突波吸收器，包括一个两端开口的玻璃管，玻璃管的两端封闭设有两个电极，两个电极之间形成一密闭的腔室，在腔室中充满气体，腔室中还设有一芯片，该芯片采用三氧化二铝制成，芯片为一中空圆柱状结构，芯片两端的通孔和所述电极位置对应。本发明中的芯片采用中空圆柱状结构，电流可直接从通孔中通过，相较传统技术中使用的立方体结构的芯片，本发明的突波吸收器通流截面更大，响应速度更快，放电电压更稳定。通过改变中空圆柱状芯片的厚度，以调整直流击穿电压，可广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

技术领域

本发明涉及一种气体放电器件，特别涉及一种突波吸收器。

背景技术

突波吸收器是一种在电子电路中起防雷、防高压静电等作用的过压保护器件。

现有突波吸收器有一种使用的芯片为立方体结构，包括中间的P-N结和设于上下面的绝缘层。使用时，电流会优先从一端的电极上通过绝缘层和玻璃管之间的空隙流到另一端的电极，该种突波吸收器存在通流截面小，放电电压不稳定的问题。

所以，针对现有技术中存在的问题，有必要设计一种突波吸收器，以解决通流截面小，放电电压不稳定的问题。

发明内容

为克服上述现有技术中的不足，本发明目的在于提供一种突波吸收器。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供的技术方案是：一种突波吸收器，包括一个两端开口的玻璃管，所述玻璃管的两端封闭设有两个电极，所述两个电极之间形成一密闭的腔室，所述腔室中充满气体，所述腔室中设有一芯片，其特征在于：所述芯片采用三氧化二铝制成，所述芯片为一中空圆柱状结构，所述芯片两端的通孔和所述电极位置对应。

优选的技术方案为：所述腔室中充满纯的或混合的惰性气体。

优选的技术方案为：所述电极外侧设有镀锡铜包钢线。

由于上述技术方案运用，本发明具有的有益效果为：

本发明中的芯片采用中空圆柱体结构，并且芯片两端的通孔和电极位置对应，电流可直接从通孔中通过，相较传统技术中使用的立方体结构的芯片，其通流截面更大，放电电压更稳定。

本发明通过改变中空圆柱状芯片的厚度，以调整直流击穿电压，广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

附图说明

图1为本发明主视图。

图2为本发明中芯片左视图。

图3为传统突波吸收器主视图。

以上附图中，1、玻璃管；2、电极；3、腔室；4、芯片；5、镀锡铜包钢线；6、绝缘层；7、P-N结。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

请参阅图1-图3。须知，在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。