[发明专利]一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法在审
| 申请号： | 201911177535.5 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854065A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;李国良;向浩;朱樟明;杨力宏;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高深 tsv 硅通孔 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在硅晶片上进行刻孔；
步骤2、减薄硅晶片；
步骤3、分别从通孔的正反两面进行沉积；
步骤4、分别从通孔的正反两面进行金属填充。
2.如权利要求1所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述步骤1、在硅晶片上进行刻孔，采用激光刻蚀法或者深反粒子刻蚀法。
3.如权利要求1所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述步骤2、减薄硅晶片是对晶片进行CMP研磨。
4.如权利要求1所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述步骤3、分别从通孔的正反两面进行沉积，具体过程是，首先，分别从通孔的正反两面沉积绝缘层，然后再从通孔的正反两面沉积阻挡层，最后，再从通孔的正反两面沉积种子层。
5.如权利要求1所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述分别从通孔的正反两面进行金属填充是采用电镀法进行。
6.如权利要求4所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述绝缘层采用的材料为二氧化硅或氮化硅。
7.如权利要求4所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述阻挡层为是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机聚合物。
8.如权利要求4所述的一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法，其特征在于：所述种子层为金属铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
