[发明专利]一种非接触式测量方法及装置在审
申请号: | 201911177483.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110842781A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 白阳;衣忠波;张文斌;刘宇光;贺东葛;李远航 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | B24B49/02 | 分类号: | B24B49/02;B24B49/12;G01B11/06;G01B5/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王焕 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 测量方法 装置 | ||
本发明公开了一种非接触式测量方法及装置,涉及晶圆加工技术领域。该非接触式测量方法用于检测晶圆的片内厚度差,其包括:控制驱动机构动作,以使驱动机构带动测距装置由第一预设点在平行于承载晶圆的载台的平面内运动至第二预设点,其中,第一预设点在晶圆上的垂直投影位置处于晶圆的中心位置,第二预设点在晶圆上的垂直投影位置处于晶圆的边缘位置;接收测距装置由第一预设点运动至第二预设点的过程中多次检测其与晶圆的垂直距离所得到的多个检测数据;计算多个检测数据中的最大值与最小值之间的差值,得到晶圆的片内厚度差。本发明提供的非接触式测量方法能够与晶圆的研抛过程同步进行,提高了晶圆的加工效率,并且测量精确度更高。
技术领域
本发明涉及晶圆加工技术领域,具体而言,涉及一种非接触式测量方法及装置。
背景技术
晶圆的片内厚度差是衡量晶圆研抛品质的一个重要标准,因此,为保证晶圆研抛的质量,其研抛过程往往需要伴随着其片内厚度差的测量进行。
目前,市面上应用的多种非接触式测量晶圆片内厚度差的方法,需要在晶圆的研抛间隙进行,需要移动晶圆实现对晶圆的测量,测量完成后方可再次开机研抛,加工效率较低,并且测量结果误差较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非接触式测量方法,其能够与晶圆的研抛同步进行,提高加工效率,并能够提高测量结果的准确性。
本发明的另一目的在于提供一种非接触式测量装置,其能够与晶圆的研抛同步进行,提高加工效率,并能够提高测量结果的准确性。
本发明提供一种技术方案:
一种非接触式测量方法,用于检测晶圆的片内厚度差,所述非接触式测量方法包括:
控制驱动机构动作,以使所述驱动机构带动测距装置由第一预设点在平行于承载所述晶圆的载台的平面内运动至第二预设点,其中,所述第一预设点在所述晶圆上的垂直投影位置处于所述晶圆的中心位置,所述第二预设点在所述晶圆上的垂直投影位置处于所述晶圆的边缘位置;
接收所述测距装置由第一预设点运动至第二预设点的过程中多次检测其与所述晶圆的垂直距离所得到的多个检测数据;
计算多个所述检测数据中的最大值与最小值之间的差值,得到所述晶圆的片内厚度差。
进一步地,所述控制驱动机构动作,以使所述驱动机构带动测距装置由第一预设点在平行于承载所述晶圆的载台的平面内运动至第二预设点的步骤包括:
控制所述驱动机构动作,以使所述驱动机构带动所述测距装置在平行于所述载台的平面内朝第一预设方向运动;
对所述驱动机构发出的第一反馈脉冲进行计数,当所述第一反馈脉冲的数量达到第一预设值时,控制所述驱动机构停止动作,以使所述测距装置达到所述第二预设点。
进一步地,在所述控制驱动机构动作,以使所述驱动机构带动测距装置由第一预设点在平行于承载所述晶圆的载台的平面内运动至第二预设点的步骤之前,所述非接触式测量方法的步骤还包括:
接收基准定位装置发出的定位信息,所述定位信息由所述基准定位装置检测到所述驱动机构处于初始位置且所述测距装置处于基准点时发出;
控制所述驱动机构动作,以使所述驱动机构带动所述测距装置由所述基准点沿垂直于所述晶圆的方向运动至垂直测量点;
控制所述驱动机构动作,以使所述驱动机构带动所述测距装置由所述垂直测量点在平行于所述载台的平面内运动至所述第一预设点。
进一步地,所述控制所述驱动机构动作,以使所述驱动机构带动所述测距装置由所述基准点沿垂直于所述晶圆的方向运动至垂直测量点的步骤包括:
控制所述驱动机构动作,以使所述驱动机构带动所述测距装置由所述基准点沿垂直于所述晶圆的方向运动;
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