[发明专利]一种CPU直接驱动MOS管的升压电路

权利要求书

1.一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，包括供电输入端、升压电感、CPU、第一MOS管、整流与抑制过冲电路和升压输出端，所述供电输入端分别与所述升压电感的一端、所述CPU的输入端连接，所述升压电感的另一端通过所述整流与抑制过冲电路与所述升压输出端连接，所述升压输出端用于连接负载，所述升压电感的另一端还通过所述第一MOS管与所述CPU的PWM信号输出脚连接，所述升压电感的另一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述CPU的PWM信号输出脚与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极接地；

所述整流与抑制过冲电路包括第三电容和并联的第一二极管、第三MOS管，所述升压电感分别与所述第一二极管的正极、第三MOS管的漏极连接，所述第一二极管的负极、所述第三MOS管的源极与所述升压输出端连接，所述第三MOS管的栅极通过所述第三电容接地。

2.根据权利要求1所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述升压电感与所述整流与抑制过冲电路之间还连接有第二MOS管，所述CPU的SW脚与所述第二MOS管的栅极连接，所述升压电感与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极分别与所述第一二极管的正极、第三MOS管的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述整流与抑制过冲电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第三电容的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三MOS管的源极连接。

4.根据权利要求3所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述供电输入端包括第一电容和第二电容，所述第一电容的正极与所述升压电感的一端连接，所述第一电容的负极接地，所述第二电容的一端与所述升压电感的一端连接，所述第二电容的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述升压输出端包括第四电容和第五电容，所述第四电容的正极分别与所述第一二极管的负极、所述第三MOS管的源极连接，所述第四电容的负极接地，所述第五电容的一端分别与所述第一二极管的负极、所述第三MOS管的源极连接，所述第五电容的另一端接地。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述升压电路还包括电压检测回路，所述电压检测回路的输入端与所述升压输出端连接，所述电压检测电路的输出端与所述CPU的A/D脚连接。

7.根据权利要求6所述的一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，其特征在于，所述电压检测回路包括第四电阻、第五电阻和第六电容，所述第四电阻的一端与所述升压输出端连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述CPU的A/D脚连接，所述第五电阻的另一端接地，所述CPU的A/D脚还通过所述第六电容接地。