[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成第一器件的第一器件区，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的初始鳍部；

在所述初始鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述初始鳍部的部分侧壁，且所述隔离结构的顶面低于初始鳍部的顶面；

在所述隔离结构和初始鳍部的顶面、以及所述隔离结构露出的初始鳍部侧壁上形成初始保护层；

进行退火处理，使与所述隔离结构相接触的初始保护层转化成牺牲层，位于所述初始鳍部的顶面和侧壁上未转化的初始保护层作为保护层；

去除所述第一器件区的牺牲层，露出所述初始鳍部靠近隔离结构的部分侧壁；初始鳍部由所述保护层和隔离结构露出的部分作为初始颈鳍部，由所述保护层覆盖的部分作为顶鳍部；

沿垂直于初始鳍部的延伸方向且垂直于初始颈鳍部侧壁的方向，对所述第一器件区的初始颈鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述减薄处理后，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述第一器件区的保护层和颈鳍部进行氧化处理，使所述保护层和部分厚度的颈鳍部转化为第一栅氧化层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述初始保护层后，进行退火处理之前，在所述初始保护层上形成氧化层；

进行所述退火处理的步骤中，使位于所述氧化层和隔离结构之间的初始保护层、以及位于初始鳍部的顶部和侧壁上且与氧化层相接触的部分厚度的初始保护层转化成牺牲层；

去除所述第一器件区的牺牲层的步骤中，还去除所述第一器件区的氧化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括用于形成第二器件的第二器件区，所述第二器件的工作频率小于所述第一器件的工作频率；

形成所述初始保护层的步骤中，所述初始保护层还形成在所述第二器件区的隔离结构顶面、初始鳍部的侧壁和顶面上；

形成所述氧化层的步骤中，所述氧化层还形成在所述第二器件区的初始保护层上；

进行退火处理的步骤中，还使位于第二器件区上的与所述氧化层相接触的部分初始保护层转化成栅氧化层第一部分，位于第二器件区的氧化层、栅氧化层第一部分、以及剩余的初始保护层用于构成第二栅氧化层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的步骤中，所述初始保护层的厚度为第一厚度；

形成所述保护层的步骤中，位于所述初始鳍部侧壁上的保护层的厚度为第二厚度，所述第二厚度是所述第一厚度的三分之一至三分之二。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层的步骤中，位于所述隔离结构顶面的初始保护层上的氧化层具有第三厚度，所述第三厚度为20埃米至40埃米。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层的步骤中，所述氧化层的材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料包括氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的步骤中，所述初始保护层的材料包括氮化硅、无定型硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的步骤中，所述初始保护层的厚度为10埃米至40埃米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：退火温度为620℃至1020℃，退火时间为0.5小时至6小时。