[发明专利]光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供目标布局图形，所述目标布局图形包括多个目标图形区以及通孔图形，所述多个目标图形区沿两个垂直的方向呈矩阵式排列，所述通孔图形横跨至少2个相邻的所述目标图形区，且相邻的所述目标图形区之间具有第一边界线；

在所述通孔图形外侧形成通孔边界图形；

将所述第一边界线沿部分所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线；

对所述通孔图形进行修正，得到通孔修正图形。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述通孔图形横跨2个相邻的所述目标图形区时，2个相邻的所述目标图形区包括第一图形区和第二图形区，且所述第一图形区和所述第二图形区之间具有第一边界线，修正所述第一边界线的方法包括：将所述第一边界线沿所述第一图形区中的所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述通孔图形横跨2个相邻的所述目标图形区时，2个相邻的所述目标图形区包括第一图形区和第二图形区，且所述第一图形区和所述第二图形区之间具有第一边界线，修正所述第一边界线的方法包括：将所述第一边界线沿所述第二图形区中的所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述通孔图形横跨4个相邻的所述目标图形区时，4个相邻的所述目标图形区呈田字形排布，包括第一图形区、第二图形区、第三图形区以及第四图形区，所述第一边界线包括：所述第一图形区与所述第二图形区之间的第一子边界线，所述第二图形区与所述第三图形区之间的第二子边界线，所述第三图形区和所述第四图形区之间的第三子边界线，以及所述第四图形区和所述第一图形区之间的第四子边界线。

5.如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，修正所述第一边界线的方法包括：将所述第一子边界线、所述第二子边界线、所述第三子边界线以及所述第四子边界线沿所述第一图形区、所述第二图形区、所述第三图形区和所述第四图形区任意3个中的所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线。

6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形区为正方形，所述目标图形区的边长为20～40微米。

7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述通孔图形沿两个相互垂直方向上的尺寸分别为20～300nm和20～300nm。

8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述通孔边界图形为方环形，所述通孔边界图形的宽度为50～300nm。

9.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

提供目标布局图形，所述目标布局图形包括多个目标图形区以及通孔图形，所述多个目标图形区沿两个垂直的方向呈矩阵式排列，所述通孔图形横跨至少2个相邻的所述目标图形区，且相邻的所述目标图形区之间具有第一边界线；

在所述通孔图形外侧形成通孔边界图形；

将所述第一边界线沿部分所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线；

对所述通孔图形进行修正，得到通孔修正图形；

将所述通孔修正图形转移至光掩膜版上，形成光掩膜版图形。

10.一种图形化方法，其特征在于，包括：

提供目标布局图形，所述目标布局图形包括多个目标图形区以及通孔图形，所述多个目标图形区沿两个垂直的方向呈矩阵式排列，所述通孔图形横跨至少2个相邻的所述目标图形区，且相邻的所述目标图形区之间具有第一边界线；

在所述通孔图形外侧形成通孔边界图形；

将所述第一边界线沿部分所述通孔边界图形进行修正，形成第二边界线；

对所述通孔图形进行修正，得到通孔修正图形；

将所述通孔修正图形转移至光掩膜版上，形成光掩膜版图形；

将所述光掩膜版图形转移至晶圆上，形成最终图形。