[发明专利]栅极的制造方法

说明书

本申请公开了一种栅极的制造方法，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有至少两个栅极结构，每个栅极结构从下而上依次包括交叠的多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；在衬底上覆盖回刻阻挡层，回刻阻挡层覆盖栅极结构；对回刻阻挡层进行刻蚀，使第一硬掩模层和第二硬掩模层暴露；对第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀；去除回刻阻挡层，在栅极结构的周侧形成侧墙；去除第一硬掩模层和第二硬掩模层；在衬底上形成氧化层，氧化层覆盖多晶硅层。本申请通过对第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀使栅极结构的表面形貌变得较为平整，从而能够降低后续形成的氧化层过程中产生空洞的几率，提高了半导体器件的良率。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种栅极的制造方法。

背景技术

图1至图3示出了相关技术提供的28纳米工艺节点以下的半导体器件的栅极的制造方法的示意图。如图1所示，在第一阶段，提供一衬底110，衬底110上形成有至少两个(图1至图3中以两个栅极结构做示例性说明)栅极结构，该栅极结构从下而上依次包括多晶硅层121、第一硬掩模层122和第二硬掩模层123；如图2所示，在第二阶段，在栅极结构的周侧形成侧墙130；如图3所示，在第二阶段，对第一硬掩模层122和第二硬掩模层123进行刻蚀，在衬底110和栅极结构的表面形成氧化层140。

然而，如图3所示，由于相关技术中提供的栅极的制造工艺难以控制栅极结构的表面形貌(例如产生如图2虚线部分的突起)，因此后续对第一硬掩模层122和第二硬掩模层123进行去除后，侧墙130的开口向外，形成的氧化层140会有一定的几率出现层间空洞141，影响半导体器件的良率。

发明内容

本申请提供了一种栅极的制造方法，可以解决相关技术中提供的栅极的制造方法良率较低的问题。

一方面，本申请提供了一种栅极的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有至少两个栅极结构，每个栅极结构从下而上依次包括交叠的多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；

在所述衬底上覆盖回刻阻挡层，所述回刻阻挡层覆盖所述栅极结构；

对所述回刻阻挡层进行刻蚀，使所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层暴露；

对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀；

去除所述回刻阻挡层，在所述栅极结构的周侧形成侧墙；

去除所述第一硬掩模层和第二硬掩模层；

在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述多晶硅层。

可选的，所述对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀，包括：

通过干法刻蚀工艺对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀。

可选的，所述干法刻蚀工艺的反应气体包括：氧气，或者氧气和氢气。

可选的，对所述第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀的时间为5秒至11秒。

可选的，所述在所述栅极结构的周侧形成侧墙，包括：

在所述栅极结构的表面沉积侧墙层；

在所述侧墙层表面沉积侧墙保护层；

去除所述栅极结构顶层和所述栅极结构之间的侧墙保护层；

去除所述栅极结构顶层和所述栅极结构之间的侧墙层，以及剩余的侧墙保护层，所述侧墙结构周侧的侧墙层形成所述侧墙。

可选的，所述侧墙层包括氮化物。

可选的，所述侧墙保护层包括氧化物、氮化物、钛化物以及铊化物中的至少一种。

可选的，所述回刻阻挡层包括光阻；