[发明专利]MicroLED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201911173216.7 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957402A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 彭翔;赵汉民;封波 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | microled 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种MicroLED芯片，其特征在于，从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N-Pad层及P-Pad层，其中，
所述GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；
所述P-Pad层设置于所述P型欧姆接触层表面；
所述N-Pad层围绕所述P-Pad层呈环状结构设置于所述GaN半导体结构表面，且与GaN半导体结构中的N-GaN层接触，所述GaN半导体结构中从下至上依次为N-GaN层、量子阱层及P-GaN层；
所述绝缘层设于所述GaN半导体结构表面除去N-Pad层和P-Pad层的区域。
2.如权利要求1或2所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述P-Pad层呈规则形状设于所述GaN半导体结构的中心位置；所述N-Pad层围绕所述P-Pad层呈环状结构设置于所述GaN半导体结构表面，且中心置与P-Pad层的中心位置重合。
3.如权利要求1或2所述的MicroLED芯片，其特征在于，绝缘层的厚度为0.5-50μm。
4.如权利要求1或2所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述N-Pad层和P-Pad层的厚度为0.5-50μm。
5.一种MicroLED芯片制备方法，其特征在于，应用于如权利要求1-4任意一项所述的MicroLED芯片，所述制备方法包括：
S1在蓝宝石衬底上制备GaN半导体结构；
S2在GaN半导体结构表面的预设规则区域制作P型欧姆接触层；
S3对P型欧姆接触层进行蚀刻直到露出GaN半导体结构，得到位于GaN半导体结构中心的规则形状的P型欧姆接触层；
S4对P型欧姆接触层区域外的GaN半导体结构蚀刻直至露出N-GaN层；
S5在步骤S4得到的结构表面形成绝缘层；
S6对绝缘层进行蚀刻，得到位于N-GaN层表面的环状N极孔和位于圆形P型欧姆接触层表面的规则形状P极孔；
S7在N极孔和P极孔处分别制备N-Pad层和P-Pad层。
6.如权利要求5所述的MicroLED芯片制备方法，其特征在于，所述P-Pad层呈规则形状设于所述GaN半导体结构的中心位置；所述N-Pad层围绕所述P-Pad层呈环状结构设置于所述GaN半导体结构表面，且中心置与P-Pad层的中心位置重合。
7.如权利要求5或6所述的MicroLED芯片制备方法，其特征在于，绝缘层的厚度为0.5-50μm。
8.如权利要求5或6所述的MicroLED芯片制备方法，其特征在于，N-Pad层和P-Pad层的厚度为0.5-50μm。
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