[发明专利]一种极紫外光刻胶放气污染测试系统

说明书

一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，该系统包括极紫外光源腔室、光收集腔室、污染样品测试腔室，其中：极紫外光源腔室，用于发出辐照光；光收集腔室，用于将极紫外光源腔室发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室内；污染样品测试腔室，用于在光收集腔室传入的辐照光线的作用下，实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。本发明提供的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，结构简单，操作方便，不仅可以研究极紫外光刻胶放气特性还可用于光刻胶放气污染对系统部件性能的影响，从而可以更好的评估光刻胶的污染特性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域、极紫外光刻领域，尤其涉及一种极紫外光刻胶放气污染测试系统。

背景技术

在半导体技术领域，有些工艺设备的工作过程中要求清洁真空环境，同时还会有短波长光的辐照，如极紫外光刻机。因此，需要慎重严格考虑设备真空系统中所使用的材料或元部件受到极紫外光辐照后的放气污染特性。而极紫外光刻胶是极紫外光刻工艺设备中不可避免的材料，极紫外光刻胶是一种高分子聚合物，本身放气率较大，而在高能极紫外光的作用下，会快速产生大量的碳氢等污染物，对系统的光学元件表面性能产生严重的污染。因此，必须研制极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统并测试其污染性能，以评估极紫外光刻胶的放气污染特性。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的主要目的在于提供一种极紫外光刻胶放气污染测试系统，研究极紫外光刻胶放气特性和光刻胶放气污染对系统部件性能的影响。

(二)技术方案

一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，该系统包括极紫外光源腔室1、光收集腔室6、污染样品测试腔室18，其中：极紫外光源腔室1，用于发出辐照光；光收集腔室6，用于将极紫外光源腔室1发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室18内；污染样品测试腔室18，用于在光收集腔室6传入的辐照光线的作用下，实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。

上述方案中，极紫外光源腔室1具有一辐照光源2，所述辐照光源2用于发出辐照光，发出的辐照光依次经过极紫外光源腔室1的光路出口和光收集腔室6的光路入口进入光收集腔室6。

上述方案中，该系统在所述极紫外光源腔室1于光收集腔室6之间还包括一降低碎屑结构3，所述降低碎屑结构3位于第一插板阀4的临近极紫外光源腔室1一侧，用于阻止极紫外光源腔室1产生的碎屑传入光收集腔室6及污染样品测试腔室18。

其中，降低碎屑结构3是通过气体吹扫的方式阻止极紫外光源腔室1产生的碎屑传入光收集腔室6及污染样品测试腔室18。

上述方案中，光收集腔室6包括反射镜调节载台7和反射收集镜8，反射收集镜8安装在反射镜调节载台7上。

其中，反射收集镜8用于收集特定立体角内的辐照光，实现反射聚焦的功能，将辐照光反射入污染样品测试腔室18，同时，所述反射收集镜8还用于过滤出13.5nm为中心波长的极紫外光。

上述方案中，污染样品测试腔室18包括沿光路方向依次设置的快门12、滤光片13、验证样片14、反射镜15、运动控制载台17。

其中，快门12用于控制光刻胶表面的辐照剂量，滤光片13用于过滤出极紫外光，验证样片14用于评估光刻胶污染特性，运动控制载台17用于装载涂有光刻胶的硅片16。

上述方案中，该系统在所述极紫外光源腔室1与所述光收集腔室6之间还包括第一插板阀4，第一插板阀4用于控制极紫外光源腔室1与光收集腔室6的通断。

该系统在所述光收集腔室6与所述污染样品测试腔室18之间还包括第二插板阀11，第二插板阀11用于控制极光收集腔室6与污染样品测试腔室18的通断。

上述方案中，极紫外光源腔室1、光收集腔室6和污染样品测试腔室18均为高真空腔室。