[发明专利]触控面板及其制作方法在审
申请号: | 201911169728.6 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110931529A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种触控面板及其制作方法。本发明通过设置处于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层的弹性模量不同于相邻无机层或有机层,使两者的接触面呈凹凸状,当有机发光层所发出的光到达呈凹凸状的接触面,发生不同角度的折射,从而提高OLED的视角范围。
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种触控面板及其制作方法。
背景技术
柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、色域宽、亮度高、响应速度快、低功耗,以及结构上可弯曲等优点越来越收到市场的欢迎,逐渐取代液晶显示器(LCD)成为显示技术的主流。
柔性OLED按照其发光位置的不同分为顶发光型和底发光型两种。目前顶发光型为OLED量产技术的主流,其结构从下往上依次包括TFT Array基板,阳极层(Anode),像素定义层(PDL),有机发光层(EL),阴极层(Cathode),薄膜封装层(TFE),偏光片(POL)。顶发射型OLED器件中的有机发光层发出的光,通过其底部的阳极(Anode)层向上反射(通常阳极的材质为ITO/Ag/ITO),穿过阴极(Anode),薄膜封装层(TFE),偏光片(POL)后,从顶部发出。
由于EL层发出的光,经EL层底部的阳极,通常是线性地向上发射,因此其亮度/色度视角通常是有限的。也就是说,随着观察的角度逐渐增大时,OLED显示器的亮度出现一定的衰减,色度出现一定的偏差。
另外,智能手机用的OLED显示器具备触摸功能是必不可少的,因此将触摸感应单元集成到OLED显示器的上方成了必然趋势,而且为了助于未来折叠智能手机的发展,搭配柔韧性良好的金属网格(Metal Mesh)的触摸感应单元成了触摸显示器的首选。然后,如果将Metal Mesh触摸感应单元集成到OLED显示器的上方,尤其Metal Mesh的遮光性,必然会进一步影响OLED显示器的视角范围大小。
因此,如何进一步提高OLED显示器的视角范围,使其在较大的侧边视角观察下,仍然呈现出良好的画质,成了研究的重点。
发明内容
本发明实施例提供一种触控面板及其制作方法,通过设置处于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层的弹性模量不同于相邻无机层或有机层,使两者的接触面呈凹凸状,当有机发光层所发出的光到达呈凹凸状的接触面,发生不同角度的折射,从而提高OLED的视角范围。
根据本发明的一方面,本发明提供一种触控面板,包括:一无机层,一第一金属层,设于所述无机层上;一绝缘层,设于所述第一金属层上;一第二金属层,设于所述绝缘层上;以及一有机层,设于所述第二金属层上;其中,所述绝缘层的弹性模量不同于所述无机层的弹性模量,或所述绝缘层的弹性模量不同于所述有机层的弹性模量,或所述绝缘层的弹性模量不同于所述无机层的弹性模量且不同于所述有机层的弹性模量。
进一步地,所述无机层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅及氧化硅中的至少一种。
进一步地,所述绝缘层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅及亚克力中的至少一种。
进一步地,所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括钛、铝、钼及银中的至少一种。
进一步地,所述有机层的材料包括亚克力、六甲基二硅氧烷及硅基化合物中的至少一种。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种触控面板的制作方法,包括以下步骤:提供一有机发光二极管显示面板,所述有机发光二极管显示面板包括一薄膜晶体管背板;提供一发光层于所述薄膜晶体管背板上;提供一封装层于所述发光层上,在所述封装层上形成一无机层;在所述无机层上形成一第一金属层;在所述第一金属层上形成一绝缘层,并在所述绝缘层上形成至少一过孔;在所述绝缘层上形成一第二金属层;以及在所述第二金属层上形成一有机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的