[发明专利]发光二极管和具有该发光二极管的发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

彼此面对的第一电极和第二电极；

设置在所述第一电极和所述第二电极之间且包含无机材料的电荷传输层，所述电荷传输层包含电子传输层；和

电荷控制层，

其中所述电荷控制层包含化学键合至所述电子传输层的表面的聚硅氧烷基材料，并且

其中所述电荷控制层设置在所述电子传输层和所述第二电极之间。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述电荷控制层层压成1nm至5nm的厚度。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述电荷控制层的折射率小于所述电荷传输层的折射率。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述聚硅氧烷基材料由具有化学式1的下列结构的单体合成：

化学式1

其中R₁和R₂各自分别独立地是氢、氘、氚、羟基、直链或支链的C₁～C₁₀烷基、C₂～C₂₀烯基、C₁～C₁₀烷氧基、C₁～C₁₀烷基氨基、C₁～C₁₀烷基丙烯酰氧基、C₁～C₁₀甲基丙烯酰氧基、C₁～C₁₀烷基甲基丙烯酰氧基、硫醇基、C₁～C₁₀烷基硫醇基、异氰酸酯基、C₁～C₁₀烷基异氰酸酯基、环氧基、C₁～C₁₀烷基环氧基、C₁～C₁₀烷撑环氧基、C₅～C₂₀环烷基环氧基、C₅～C₂₀环烷撑环氧基、C₅～C₃₀芳基环氧基、C₅～C₃₀芳撑环氧基、C₄～C₃₀杂芳基环氧基、C₄～C₃₀杂芳撑环氧基、缩水甘油醚氧基、C₁～C₁₀烷基缩水甘油醚氧基、C₁～C₁₀烷撑缩水甘油醚氧基、C₅～C₂₀环烷基缩水甘油醚氧基、C₅～C₂₀环烷撑缩水甘油醚氧基、C₅～C₃₀芳基缩水甘油醚氧基、C₅～C₃₀芳撑缩水甘油醚氧基、C₄～C₃₀杂芳基缩水甘油醚氧基、C₄～C₃₀杂芳撑缩水甘油醚氧基、未取代或用至少一个卤素取代的C₅～C₂₀芳基、未取代或用至少一个卤素取代的C₄～C₂₀杂芳基、未取代或用至少一个卤素取代的C₅～C₂₀芳基氧基、未取代或用至少一个卤素取代的C₄～C₂₀杂芳基氧基、未取代或用至少一个卤素取代的C₅～C₂₀芳基氨基、或者未取代或用至少一个卤素取代的C₄～C₂₀杂芳基氨基；R₃和R₄各自分别独立地是氢、氘、氚、直链或支链的C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷基氨基、C₅～C₂₀芳基、C₄～C₂₀杂芳基、C₅～C₂₀芳基氨基、或者C₄～C₂₀杂芳基氨基。