[发明专利]量子点、其制造方法、组合物和图案化膜以及显示装置

说明书

公开了量子点、其制造方法、以及包括该量子点的组合物、图案化膜和显示装置，所述量子点包括：种子，包括包含第一II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体；量子阱，围绕种子，量子阱包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素；以及壳，设置在量子阱上，壳包括包含第二II‑VI族化合物的第三半导体纳米晶体，其中，量子点不包括镉，第二半导体纳米晶体的能带隙比第一半导体纳米晶体的能带隙和第三半导体纳米晶体的能带隙小，并且量子点的紫外‑可见(UV‑Vis)吸收光谱曲线在大约450纳米(nm)至大约600nm的波长范围内不具有拐点。

本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0146748号韩国专利申请的优先权和由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

公开了量子点、包括该量子点的组合物和复合物以及包括该量子点的电子装置。

背景技术

不同于体(bulk)材料，量子点(即，纳米尺寸半导体纳米晶体)通过控制纳米晶体的尺寸和组成而可以具有不同的能带隙。量子点可以呈现出电致发光性质和光致发光性质。量子点的光致发光性质可以应用于(例如用于)各种领域。就环境观点(例如关注点)而言，期望开发能够实现(例如呈现)改善的光致发光性质的非镉基量子点。

发明内容

实施例提供了包括呈现出改善的光致发光性质(例如蓝光吸收)的非镉基量子点的组合物。

实施例提供了包括非镉基量子点的量子点聚合物复合物。

实施例提供了包括量子点聚合物复合物的堆叠结构和电子装置。

实施例提供了前述非镉基量子点。

在实施例中，量子点(或多个量子点)包括：种子(seed)，包括包含第一II-VI族化合物的第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，围绕种子，量子阱包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体包括IIIA族金属和V族元素，其中，所述IIIA族金属不包括铝；以及壳，设置在量子阱上，壳包括包含第二II-VI族化合物的第三半导体纳米晶体，其中，量子点不包括镉，其中，第二半导体纳米晶体的能带隙比第一半导体纳米晶体的能带隙小，第二半导体纳米晶体的能带隙比第三半导体纳米晶体的能带隙小，并且量子点的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱曲线在大约450纳米(nm)至大约600nm的波长范围内不具有拐点。

第一II-VI族化合物、第二II-VI族化合物或它们的组合可以包括锌硫属元素化物。

第一半导体纳米晶体和第三半导体纳米晶体可以具有彼此不同的组成。

第一半导体纳米晶体和第三半导体纳米晶体可以具有彼此相同的组成。

第一半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

第三半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

量子阱可以包括铟和磷。

量子阱还可以包括锌、铝或它们的组合。

量子阱还可以包括铝和氧。

基于(例如，由ICP分析测得的)量子点中的元素的总摩尔数，量子点的铟和磷的总摩尔量可以小于或等于大约20％。

量子点的磷与铟之比可以大于或等于大约1:1。

量子点的锌与铟之比可以大于或等于大约20:1。

种子可以包括硒、硫或它们的组合以及锌。种子还可以包括碲。

壳可以包括锌、硫和可选的硒。