[发明专利]封装组件、电子设备及封装方法

权利要求书

1.一种封装组件，其特征在于，包括基板(100)、元器件(200)、封装层(300)、绝缘层(400)和接地件(600)，所述元器件(200)设有焊脚(500)，所述元器件(200)通过所述焊脚(500)与所述基板(100)相连，所述封装层(300)包裹所述元器件(200)，所述焊脚(500)的周围设有所述绝缘层(400)，且所述绝缘层(400)位于所述基板(100)和所述封装层(300)之间，所述绝缘层(400)包裹所述接地件(600)，所述绝缘层(400)的一部分位于所述接地件(600)和所述元器件(200)之间，所述接地件(600)环绕所述焊脚(500)。

2.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，所述绝缘层(400)设置为多个，多个所述绝缘层(400)依次叠置，各所述绝缘层(400)中，至少两个所述绝缘层(400)的热膨胀系数不同。

3.根据权利要求2所述的封装组件，其特征在于，每个所述绝缘层(400)的热膨胀系数均介于所述封装层(300)的热膨胀系数和所述基板(100)的热膨胀系数之间。

4.根据权利要求3所述的封装组件，其特征在于，所述封装层(300)的热膨胀系数大于所述基板(100)的热膨胀系数，且在所述封装层(300)指向所述基板(100)的方向上，各所述绝缘层(400)的热膨胀系数逐渐减小；或者，

所述封装层(300)的热膨胀系数小于所述基板(100)的热膨胀系数，且在所述封装层(300)指向所述基板(100)的方向上，各所述绝缘层(400)的热膨胀系数逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，所述元器件(200)的数量为至少一个，每个所述元器件(200)均设有至少一个所述焊脚(500)，每个所述元器件(200)的每个所述焊脚(500)周围均设有所述绝缘层(400)和所述接地件(600)。

6.根据权利要求1所述的封装组件，其特征在于，所述接地件(600)与所述基板(100)接地连接。

7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的封装组件。

8.一种封装方法，应用于权利要求1-6中任一项所述的封装组件，其特征在于，所述方法包括：

在元器件(200)的焊脚(500)周围制备绝缘层(400)和接地件(600)，所述绝缘层(400)位于基板(100)和封装层(300)之间，所述绝缘层(400)包裹所述接地件(600)，所述绝缘层(400)的一部分位于所述接地件(600)和所述元器件(200)之间，所述接地件(600)环绕所述焊脚(500)。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述在元器件(200)的焊脚(500)周围制备绝缘层(400)和接地件(600)具体包括：

在基板(100)上制备接地件(600)；

在基板(100)上制备绝缘层(400)。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述在基板(100)上制备绝缘层(400)之后还包括：

在所述基板(100)上制备焊脚(500)；

在所述焊脚(500)上制备元器件(200)；

在所述绝缘层(400)上制备封装层(300)，所述封装层(300)包裹所述元器件(200)。