[发明专利]显示装置及补偿电路有效
申请号: | 201911167121.4 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN112785954B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 庞震华 | 申请(专利权)人: | 海信视像科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 266555 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 补偿 电路 | ||
本申请提供一种显示装置及补偿电路,包括:显示屏幕,被配置为显示图像画面;声音再现装置,被配置为播放声音;供电电路,被配置为向所述显示装置的负载提供电能;所述供电电路包括:整流电路和补偿电路;其中,所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电;所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。本申请能够解决同步整流MOSFET的引脚上的寄生电感影响所检测的同步整流MOSFET两侧的电压,影响对同步整流MOSFET的导通与关断进行的控制的技术问题,并实现减少MOSFET发热现象并减少同步整流MOSFET的损耗的技术效果。
本申请要求于2019年11月04日提交中国专利局、申请号为201911067969.X、申请名称为“同步整流MOSFET的补偿电路”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及电子技术,尤其涉及一种显示装置及补偿电路。
背景技术
显示装置中的整流电路是一种用于将交流电转换为直流电的电路,在一些应用场景中,需要采集整流电路中同步整流MOSFET两侧的电压值,将电压值作为触发执行显示装置功能的判断依据。例如,整流电路中设置的同步整流(synchronous rectification,简称:SR)驱动芯片根据同步整流MOSFET两侧的电压值确定控制该同步整流MOSFET导通和关断。
但是,由于整流电路的同步整流MOSFET的引脚上存在寄生电感,影响SR驱动芯片所采集的电压值,从而影响处理器控制同步整流MOSFET导通和关断的时机,进而导致同步整流MOSFET整体发热的现象较为严重,增大了同步整流MOSFET的损耗。
发明内容
本发明实施方式第一方面,提供一种显示装置,包括:
显示屏幕,被配置为显示图像画面;声音再现装置,被配置为播放声音;
供电电路,被配置为向所述显示装置的负载提供电能;所述供电电路包括:整流电路和补偿电路;其中,所述整流电路被配置为将交流电转换为直流电;
所述补偿电路用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。
可选的,所述整流电路包括:次级线圈、所述同步整流MOSFET和负载构成的闭合回路;
所述补偿电路包括:电磁感应线圈,设置在所述整流电路的闭合回路中;所述电磁感应线圈被配置为,在所述闭合回路中的闭合电流的作用下生成补偿信号,所述补偿信号用于补偿所述整流电路中的同步整流MOSFET的寄生信号。
可选的,还包括:控制器,被配置为控制所述同步整流MOSFET;
所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端,所述同步整流MOSFET的漏级分别连接所述负载和所述控制器;所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器;
所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下,生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号;
所述控制器被配置为,根据所述电磁感应线圈的第二端和所述同步整流MOSFET的漏级之间的电压生成控制信号,所述控制信号用于控制所述同步整流MOSFET。
可选的,还包括:控制器,被配置为控制所述同步整流MOSFET;
所述同步整流MOSFET的源级连接所述次级线圈和所述电磁感应线圈的第一端,所述同步整流MOSFET的漏级连接所述负载和所述控制器;所述电磁感应线圈的第二端连接所述控制器;
所述电磁感应线圈具体被配置为在所述闭合回路中的闭合电流的作用下,生成所述第一端和所述第二端之间的补偿信号;
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