[发明专利]一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有特定图形的发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备GaAs衬底(1)；

2)在GaAs衬底(1)上生长GaAs缓冲层(2)；

3)在GaAs缓冲层(2)上生长DBR层(3)；

4)在DBR层(3)上生长N型限制层(4)；

5)在N型限制层(4)上生长多量子阱层(5)；

6)在多量子阱层(5)上进行光刻，形成刻蚀区；

7)在刻蚀区表面蒸镀绝缘层(6)；

8)在多量子阱层(5)上依次生长P型限制层(7)、P型窗口层(8)和P型欧姆接触层(9)；

9)得到所述外延结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有特定图形的发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备GaAs衬底(1)，放入MOCVD生长室内，H₂气氛下，保持温度为700℃，热处理；

2)在GaAs衬底(1)上生长GaAs缓冲层(2)：

3)在GaAs缓冲层(2)上生长DBR层(3)：

4)在DBR层(3)上生长N型限制层(4)：

5)调节温度为700-740℃，在N型限制层(4)上生长多量子阱层(5)，多量子肼层为(Al_xGa_1-x)InP/(Al_yGa_1-y)InP阱垒结构，其中0≤x≤0.4，0.5≤y≤1.0；

6)取步骤5)生长后得到的外延结构，表面涂覆光刻胶，曝光显影，腐蚀出目标发光图形，再通过刻蚀机进行ICP刻蚀，刻蚀时从多量子阱层(5)刻蚀至N型限制层(4)，形成刻蚀区；

7)取步骤6)处理后得到的外延结构，在刻蚀区表面蒸镀绝缘层(6)；

8)将步骤7)处理后得到的外延结构放入MOCVD生长室内，H₂气氛下高温处理；

9)在多量子阱层(5)上表面依次生长P型限制层(7)、P型窗口层(8)和P型欧姆接触层(9)，得到所述外延结构。

3.根据权利要求2所述的一种具有特定图形的发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备GaAs衬底(1)，放入MOCVD生长室内，H₂气氛下，保持温度为700℃，热处理5-10min；

2)在GaAs衬底(1)上生长GaAs缓冲层(2)：调节温度为700-740℃，在GaAs衬底(1)表面生长GaAs缓冲层(2)，其中GaAs缓冲层(2)的厚度为0.3-1.0um；

3)在GaAs缓冲层(2)上生长DBR层(3)：保持温度为700-740℃，在GaAs缓冲层(2)上生长DBR层(3)，DBR层(3)包括多对重叠生长的AlAs层和Al_xGa_1-xAs层，其中0.3＜x＜0.6；

4)在DBR层(3)上生长N型限制层(4)：调节温度为700-740℃，在DBR层(3)上生长N型(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP限制层；其中0≤x，y≤1；所述N型(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP限制层的厚度为厚度0.3-1.0um；

5)在N型限制层(4)上生长多量子阱层(5)：调节温度为700-740℃，在N型限制层(4)上生长多量子阱层(5)，多量子肼层为(Al_xGa_1-x)InP/(Al_yGa_1-y)InP阱垒结构，其中0≤x≤0.4，0.5≤y≤1.0；

6)取步骤5)生长后得到的外延结构，表面涂覆光刻胶，曝光显影，腐蚀出目标发光图形，再通过刻蚀机进行ICP刻蚀，刻蚀时从多量子阱层(5)刻蚀至N型限制层(4)，形成刻蚀区；

7)取步骤6)处理后得到的外延结构，在刻蚀区表面蒸镀绝缘层(6)；

8)将步骤7)处理后得到的外延结构放入MOCVD生长室内，H₂气氛下高温处理5-10min；

9)在多量子阱层(5)上表面依次生长P型限制层(7)、P型窗口层(8)和P型欧姆接触层(9)，得到所述外延结构。