[发明专利]一种小型化高抑制LTCC柱型电感带通滤波器

权利要求书

1.一种小型化高抑制LTCC柱型电感带通滤波器，包括陶瓷基体、外部输入电极、外部输出电极、外部接地电极；所述外部输入电极、外部输出电极对称印刷在陶瓷基体左右两侧；所述外部接地电极对称印刷在陶瓷基体前后两侧；所述陶瓷基体内部包括四个并联谐振、两个接地极板、五个串联连接电容及一个源-负载耦合电容C04；所述两个接地极板包括第一接地极板SD1、第二接地极板SD2，其中第二接地极板SD2采用缺陷地结构，包括四个圆形缺陷；所述五个串联连接电容包括输入电容C0、第一串联电容C1、第二串联电容C2、第三串联电容C3、输出电容C4。

所述四个并联谐振呈田字型左右对称分布在陶瓷基体内部，包括由第一电感L1和第一谐振电容C10并联构成的第一并联谐振，由第二电感L2和第二谐振电容C20并联构成的第二并联谐振，由第三电感L3和第三谐振电容C30并联构成的第三并联谐振，由第四电感L4和第四谐振电容C40并联构成的第四并联谐振；所述的第一并联谐振与第二并联谐振间通过第一串联电容C1连接，第二并联谐振与第三并联谐振间通过第二串联电容C2连接，第三并联谐振与第四并联谐振间通过第三串联电容C3连接；

所述陶瓷基体内部共分六层，其中第一层与第五层为第一接地层SD1与第二接地层SD2，其中第二接地层SD2为缺陷地结构，包括四个圆形缺陷，两层接地层均与陶瓷基体外部接地电极相连；

所述输入电容C0位于陶瓷基体第二、三、四层，第二层与第四层间极板通过过孔柱相连，第三层极板与外部输入电极相连；

所述第一谐振电容C10位于陶瓷基体第四、第六层，第四第六层极板通过过孔柱穿过第五层第二接地层SD2圆形缺陷相连，第四层极板通过传输线与输入电容C0下极板相连；所述第一电感L1位于陶瓷基体第一层与第二层间，上端与第一接地层SD1相连，下端通过过孔柱与第一谐振电容C10上极板相连；

所述第二谐振电容C20位于陶瓷基体第四、第六层，第四第六层极板通过过孔柱穿过第五层第二接地层SD2圆形缺陷相连；所述第二电感L2位于陶瓷基体第一层与第二层间，上端与第一接地层SD1相连，下端通过过孔柱与第二谐振电容C20上极板相连，通过传输线与第一串联电容C1上极板相连；

所述输出电容C4位于陶瓷基体第二、三、四层，第二层与第四层间极板通过过孔柱相连，第三层极板与外部输出电极相连；

所述第四谐振电容C40位于陶瓷基体第四、第六层，第四第六层极板通过过孔柱穿过第五层第二接地层SD2圆形缺陷相连，第四层极板通过传输线与输出电容C4下极板相连；所述第四电感L4位于陶瓷基体第一层与第二层间，上端与第一接地层SD1相连，下端通过过孔柱与第四谐振电容C40上极板相连；

所述第三谐振电容C30位于陶瓷基体第四、第六层，第四第六层极板通过过孔柱穿过第五层第二接地层SD2圆形缺陷相连；所述第三电感L3位于陶瓷基体第一层与第二层间，上端与第一接地层SD1相连，下端通过过孔柱与第三谐振电容C30上极板相连，通过传输线与第三串联电容C3上极板相连；

所述第二串联电容C2位于陶瓷基体第三层，由两极板构成，两极板分别通过过孔柱与第二谐振电容C20和第三谐振电容C30的第四层上极板相连；所述源-负载耦合电容C04位于陶瓷基体第三层，采用C型结构分别与第一谐振电容C10上极板和第四谐振电容C40上极板形成耦合。

2.根据权利要求1所述的小型化高抑制LTCC柱型电感带通滤波器，其特征在于，

第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4采用柱型金属孔柱实现，通过调节金属孔柱的高度及半径调整电感量的大小；

第一谐振电容C10、第二谐振电容C20、第三谐振电容C30、第四谐振电容C40及输入电容C0、输出电容C4采用垂直直插式电容极板实现，通过调节极板间间距及极板正对面积小来调节电容值；

第一串联电容C1、第一串联电容C2、第一串联电容C3、第四串联电容C4及源-负载耦合电容C04采用对平板式电容极板实现，通过调节极板间间距及极板正对面积小来调节电容值。

3.根据权利要求1所述的小型化高抑制LTCC柱型电感带通滤波器，其特征在于，第一电感L1、第二电感L2、第一谐振电容C10、第二谐振电容C20、第一串联电容C1的结构与第三电感L3、第四电感L4、第三谐振电容C30、第四谐振电容C40的结构呈镜像对称。