[发明专利]磁传感器装置有效

专利信息
申请号: 201911165205.4 申请日: 2019-11-25
公开(公告)号: CN111220935B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 蔡永福 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 装置
【说明书】:

本发明提供一种磁传感器装置,其能够通过磁铁向至少一个轴(X轴)、优选为两个轴(X轴和Y轴)的相对的移动高精度地进行位置检测,该磁传感器装置具备:多极磁铁,具有第1面和与该第1面相对的第2面,以将第1面放射状地分割成n个(n≥4)区域的方式由极性不同的磁极交替地排列而构成;以及磁检测部,以与多极磁铁的第1面相对的方式设置而构成,多极磁铁被设置为至少能够在与第1面和第2面实质上平行的平面内的第1方向上相对地移动,磁检测部输出对应于伴随着多极磁铁的相对的移动的磁场的变化的信号,在正交于第1面的方向上,多极磁铁和磁检测部的各自的几何学的中心实质上一致。

技术领域

本发明涉及一种磁传感器装置。

背景技术

近年来,用于检测物理量(例如,由于移动体的旋转移动或线性移动引起的位置或移动量(变化量)等)的物理量检测装置(位置检测装置)在各种用途中被应用。作为该物理量检测装置,已知具备能够检测外部磁场的变化的磁传感器装置的物理量检测装置,并且从磁传感器装置输出相应于外部磁场的变化的信号。

磁传感器装置具有产生被检测磁场的磁场产生部以及检测该被检测磁场的磁传感器元件,并且通过磁传感器元件检测由于磁场产生部的移动引起的磁场的变化。作为这样的磁传感器元件,已知电阻相应于外部磁场的变化而变化的磁阻效应元件(AMR元件、GMR元件、TMR元件等),或者是利用了所谓的霍尔效应的霍尔元件等。

一直以来,作为检测一个平面内的两个轴(X轴和Y轴)方向的移动的定点装置用的磁传感器装置,已知具有第1~第4GMR元件以及与它们相对设置的、在厚度方向上被磁化的磁铁(N极和S极的两极磁铁),并且第1~第4GMR元件的固定层的磁化的方向依次为X轴正方向(+X方向)、X轴负方向(-X方向)、Y轴正方向(+Y方向)以及Y轴负方向(-Y方向)的磁传感器装置(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-276983号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在上述磁传感器装置中,由于四个GMR元件(第1~第4GMR元件)的固定层的磁化的方向不同,因此基于伴随着磁铁向X轴方向(±X方向)和Y轴方向(±Y方向)的移动的各GMR元件的电阻值变化,能够求得磁铁的移动量(磁铁的位置)。

然而,在上述磁铁中,相对于从其几何中心向X轴方向(±X方向)和Y轴方向(±Y方向)的各自的移动(磁铁的位移)的磁场强度的位移的线性较低。因此,存在伴随着磁铁的移动的各GMR元件的电阻值变化以及基于其的输出信号的线性(linearity)变低,位置检测精度降低的问题。

另外,在上述磁传感器装置中,各GMR元件被配设于大致正方形的基板的四个角落,但是由于该基板的几何中心与磁铁的几何中心的位置偏离(初始状态下的基板和磁铁的位置关系的偏离),还存在各GMR元件的电阻值变化以及基于其的输出信号产生大的变化,位置检测精度降低的问题。

鉴于上述技术问题,本发明的目的在于,提供一种磁传感器装置,其能够高精度地进行通过磁铁的至少向一个轴(X轴)、或优选地向两个轴(X轴和Y轴)的相对的移动进行的位置检测。

用于解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题,本发明提供一种磁传感器装置,其特征在于,具备:多极磁铁,其具有第1面和与该第1面相对的第2面,并由极性不同的磁极以将所述第1面放射状地分割成n个(n是4以上的整数。)区域的方式交替地排列而成;以及磁检测部,其以与所述多极磁铁的所述第1面相对的方式设置而成,所述多极磁铁被设置为至少能够在与所述第1面和所述第2面实质上平行的平面内的第1方向上相对地移动,所述磁检测部输出对应于伴随所述多极磁铁的相对的移动的磁场的变化的信号,在正交于所述第1面的方向上,所述多极磁铁和所述磁检测部的各自的几何学的中心实质上一致。

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