[发明专利]自对准四重图案及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911164226.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867369B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;傅晓娟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 图案 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种自对准四重图案的制造方法，包括：
在目标刻蚀层上依次形成第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层，其中所述第一抗反射层相对于所述第二抗反射层有刻蚀选择性；
刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层，形成第一芯模图案，其中所述刻蚀停止在所述第二抗反射层上；
在所述第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；
先刻蚀水平方向的第一侧墙材料层，再刻蚀所述第一芯模图案以形成第一侧墙；
以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二抗反射层和所述第二芯模层，形成第二芯模图案；
在所述第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；以及
刻蚀水平方向的第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙。
2.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，在形成所述第二芯模层之前还包括在所述目标刻蚀层上形成硬掩模层。
3.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，所述目标刻蚀层内具有埋设的刻蚀阻挡层。
4.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层以形成第一芯模图案时，停止在所述第二抗反射层上。
5.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，形成第一侧墙后还包括：降低所述第一侧墙的高度。
6.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，形成所述第二芯模图案之后还包括：去除残留的第一侧墙。
7.如权利要求2所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，刻蚀水平方向的第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙时，停止在所述硬掩模层上。
8.如权利要求7所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，还包括以所述第二侧墙为掩模刻蚀所述硬掩模层，形成硬掩模图案。
9.如权利要求2或7所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料为多晶硅。
10.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙材料层和/所述第二侧墙材料层的材料包括超低温氧化物。
11.如权利要求1所述的自对准四重图案的制造方法，其特征在于，所述第一抗反射层的材料为氮化钛或氮氧化硅，所述第二抗反射层的材料为碳化硅或氧化铝。
12.一种半导体器件的制造方法，包括如权利要求1-11任一项所述的自对准四重图案的制造方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
