[发明专利]医疗杀菌消毒用外延结构制备方法

权利要求书

1.一种医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，包括：

提供一置于托盘上的基板；

在所述基板上生长第一过渡层；

在所述第一过渡层上生长第一半导体层；

在所述第一半导体层上生长第二过渡层；

在所述第二过渡层上生长有源层；

在所述有源层上生长第二半导体层；

所述第二过渡层包括交替层叠设置的前垒层和前阱层，所述前垒层生长在所述第一半导体层上，所述有源层生长在最后一个前垒层上，所述前垒层数量比所述前阱层数量多一个，前垒层为铝镓氮层，前阱层为铟镓氮层，前垒层中铝含量随厚度逐渐升高，前阱层铟含量随厚度逐渐降低，生长所述第一过渡层、第一半导体层、第二过渡层、有源层、第二半导体层过程中所述托盘保持旋转状态，所述第一半导体层生长过程中托盘旋转速度与生长所述第二过渡层过程中托盘旋转速度相同。

2.如权利要求1所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层生长速率低于所述第一半导体层生长速率。

3.如权利要求2所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层厚度为所述第一半导体层厚度的1/10～1/20。

4.如权利要求1至3任一所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前阱层生长速率低于所述前垒层生长速率。

5.如权利要求4所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前阱层厚度为所述前垒层厚度的1/5～1/2。

6.如权利要求1所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层生长过程中通入硅。

7.如权利要求6所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层中硅含量低于所述第一半导体层中硅含量。

8.如权利要求7所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层中硅含量为所述第一半导体层中硅含量1/10～1/50。

9.如权利要求1所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前垒层与所述第一半导体层生长过程中压力保持相同。

10.如权利要求9所述的医疗杀菌消毒用外延结构制备方法，其特征在于，所述前阱层生长过程中压力大于所述前垒层生长过程中压力。