[发明专利]一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用

权利要求书

1.一种制备半导体石墨晶圆的方法，其特征在于：将含硼的氧化石墨烯配制成浓度0.05-10 mg/ml的乙醇溶液，然后采用匀胶机以300-6000 rpm的转速旋涂于含有氧化硅的硅晶圆表面，干燥后置入气氛炉中，于200-350 ℃的温度下恒温热处理5-60 分钟，得到P型半导体石墨晶圆；所述含硼的氧化石墨烯的硼含量为0.05-10%；所述含有氧化硅的硅晶圆包括硅衬底和二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层的厚度为30-500 nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述乙醇溶液中含硼的氧化石墨烯的浓度为0.5-2 mg/ml。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述匀胶机的转速在3000-6000 rpm之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的恒温时间为10-30分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气氛炉的气氛为氢气、氩气、氮气中的一种。

6.权利要求1至5任一项所述的方法制备的半导体石墨晶圆在场效应管的应用。