[发明专利]一种导电薄膜的制备方法与应用在审
| 申请号: | 201911159223.1 | 申请日: | 2019-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN112837847A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 郭凯;赵剑;张传升;韩青树 | 申请(专利权)人: | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司;中国节能减排有限公司 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;康志梅 |
| 地址: | 404100 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种导电薄膜,包括基底与纳米银线,所述基底与纳米银线通过纳米银颗粒粘结。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜不含感光性粘着剂、热固性粘着剂和高分子基导电粘着剂。
3.根据权利要求1或2所述的导电薄膜,其特征在于,所述基底选自刚性基材和柔性基材的一种或多种,优选选自玻璃、蓝宝石、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、亚克力、聚氨酯和聚四氟乙烯中的一种或多种;
和/或所述纳米银线的直径为40-110nm,优选为45-60nm,长度为10-130um,优选为15-35um;
和/或所述纳米银颗粒的平均粒径为10-40nm,优选为15-25nm;
和/或所述纳米银线的熔点为200-300℃,所述纳米银颗粒的熔点为100-150℃。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的导电薄膜的制备方法,其包括使用纳米银颗粒将纳米银线粘附于基底上。
5.根据权利要求4所述的制备方法,包括以下步骤:
S1:将纳米银线和纳米银颗粒分散于溶剂,形成分散液;
S2:将所述分散液涂覆在基底上;
S3:除去步骤S2所得的基底中的溶剂;
S4:将步骤S3处理后的基底加热至纳米银颗粒的熔点以上并且在纳米银线的熔点以下,优选在纳米银线的熔点以下40-90℃,更优选在纳米银线的熔点以下50-70℃。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,步骤S2中所述的涂敷包括喷墨、丝网印刷、纳米压印、夹缝式涂布和旋转涂布中的一种或多种。
7.根据权利要求4-6中任意一项所述的方法,其特征在于,所述步骤S3的加热温度为80-200℃,优选为90-120℃;和/或步骤S4中,所述加热时间为10-60min,优选为18-25min。
8.根据权利要求4-7中任意一项所述的方法,其特征在于,所述分散液中,纳米银线的质量分数为0.5-10%,优选为3-4%;和/或所述纳米银线与纳米银颗粒的重量比为(5-40):1,优选为(20-30):1。
9.根据权利要求4-8中任意一项所述的方法,其特征在于,所述溶剂选自水、C1-C6的烷基醇中的一种或多种,优选选自水、异丙醇和乙醇中的一种或多种。
10.根据权利要求1-3中任意一项所述的导电薄膜或者根据权利要求4-9中任意一项所述的方法制备的导电薄膜在触控面板电极中的应用。
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