[发明专利]一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201911158839.7 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110670041B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 薛德胜;杨洋 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 磁控溅射 制备 钙钛矿铁电 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法，其特征在于工艺为：用溶胶凝胶法配置BZT-BCT靶材的前驱物粉体，使前驱物粉体与聚乙烯醇混合后压靶烧结得到BZT-BCT靶材，使用BZT-BCT靶材通过单靶射频磁控溅射的方式在不加热的Si基片上生长复合钙钛矿铁电多晶薄膜，具体步骤如下：
(1) 将原料Ba(NO3)2、Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、Ca(NO3)2·4H2O和柠檬酸用溶胶凝胶法配制BZT-BCT的凝胶，放入烘箱60-120℃条件下，蒸干溶剂形成干凝胶，在箱式炉中600-800℃煅烧3-5小时得到靶材的前驱物粉体；
(2) 将步骤(1)中靶材的前驱物粉体与质量比为1%-3%的聚乙烯醇溶液混合造粒、压靶、排胶、烧结得到BZT-BCT靶材，烧结温度为800-1000 ℃；
(3) 将步骤(2)中的BZT-BCT靶材置入溅射室，抽真空，抽真空至10-4-10-5 Pa；
(4) 然后将氩气与氧气按比例通入到溅射室中，调节溅射气压，通入氩气与氧气体积比为1:3-3:1，溅射气压为2-3 Pa；
(5) 调节射频功率起辉光，预溅射，溅射功率为200-300 W ；
(6) 在不加热的Si基片上溅射形成钙钛矿铁电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学，未经兰州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911158839.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属铀表面阻水阻氢Al/Al
- 下一篇：用于厚膜沉积的物理气相沉积设备
- 同类专利
- 专利分类
