[发明专利]一种异常恢复方法、系统、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种异常恢复方法，其特征在于，应用于包括第一BIOS Flash芯片和第二BIOSFlash芯片的电子设备，所述异常恢复方法包括：

利用SPI开关按照优先级片选至所述第一BIOS Flash芯片或第二BIOS Flash芯片，以便启动所述电子设备的操作系统；其中，所述第一BIOS Flash芯片的优先级高于所述第二BIOS Flash芯片的优先级；

当所述电子设备正常进入操作系统后，判断所述SPI开关当前片选的芯片是否为所述第一BIOS Flash芯片；

若否，则通过发送IPMI指令将SOC芯片中运行的管理引擎设置为恢复模式，并在所述恢复模式下对所述第一BIOS Flash芯片执行刷新操作；

控制所述SOC芯片中运行的创新引擎Innovation Engine进入ROM引导扩展模式，控制所述SPI开关片选至所述第一BIOS Flash芯片，并在所述ROM引导扩展模式下利用备份固件更新所述第一BIOS Flash芯片的创新引擎Innovation Engine；

其中，所述创新引擎Innovation Engine为基于PCH芯片的嵌入式核心系统或基于SOC芯片的嵌入式核心系统。

2.根据权利要求1所述异常恢复方法，其特征在于，所述利用SPI开关按照优先级片选至所述第一BIOS Flash芯片或第二BIOS Flash芯片，以便启动所述电子设备的操作系统，包括：

利用所述SPI开关片选至所述第一BIOS Flash芯片，通过所述第一BIOS Flash芯片启动所述电子设备，并执行上电自检操作；

判断所述上电自检操作是否存在异常；

若是，则利用所述SPI开关片选至所述第二BIOS Flash芯片，通过所述第二BIOS Flash芯片启动所述电子设备，以便启动所述电子设备的操作系统；

若否，则判定所述电子设备的操作系统启动完毕。

3.根据权利要求2所述异常恢复方法，其特征在于，在执行上电自检操作时，还包括：

控制所述目标GPIO引脚输出的电平由高电平切换为低电平，并记录所述目标GPIO引脚连续输出低电平的时长；

相应的，判断所述上电自检操作是否存在异常包括：

判断所述目标GPIO引脚连续输出低电平的时长是否大于预设时长；

若是，则利用CPLD控制所述电子设备执行重启操作，并记录重启次数；

当所述重启次数大于或等于预设值时，则判定所述上电自检操作存在异常。

4.根据权利要求1所述异常恢复方法，其特征在于，在所述恢复模式下对所述第一BIOSFlash芯片执行刷新操作包括：

在所述恢复模式下将所述操作系统下存储的BIOS镜像文件刷新至所述第一BIOSFlash芯片。

5.根据权利要求1所述异常恢复方法，其特征在于，在所述恢复模式下对所述第一BIOSFlash芯片执行刷新操作包括：

在所述恢复模式下将所述第二BIOS Flash芯片的全部Flash文件刷新至所述第一BIOSFlash芯片。

6.根据权利要求1至5任一项所述异常恢复方法，其特征在于，在刷新所述创新引擎Innovation Engine之后，还包括：

利用刷新后的所述第一BIOS Flash芯片重启所述电子设备的操作系统。