[发明专利]红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构有效
| 申请号： | 201911157666.7 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110970538B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;吴国才;莫炜静;于海娇 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红光 led 外延 分割 方法 结构 | ||
1.一种红光LED外延片的分割方法，其特征在于，包括：
在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；
将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠；
所述保护层的材料为氧化后可以阻止内部材料氧化且溶于酸性溶液的磷化铟。
2.根据权利要求1所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，在所述将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片之后，还包括：
将氧化处理后的所述红光LED外延片放入清洗液中以去除所述保护层。
3.根据权利要求2所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，在所述将氧化处理后的所述红光LED外延片放入清洗液中以去除所述保护层之后，包括：
在所述红光LED芯片上制备电极。
4.根据权利要求1所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，所将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片包括：
将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片放入水蒸气和/或氧气环境中进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片。
5.根据权利要求1所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，所述将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层包括：
将涂覆保护层之后的所述红光LED外延片放入至少100℃环境中进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片。
6.根据权利要求2所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，所述清洗液的PH值小于7。
7.根据权利要求1所述的红光LED外延片的分割方法，其特征在于，所述氧化分割层依次贯穿P型半导体层和发光层与N型半导体层连接。
8.一种LED外延片的分割方法，其特征在于，包括：
在LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；
将涂覆保护层之后的所述LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述LED外延片分割成至少两个LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠；
所述保护层的材料为氧化后可以阻止内部材料氧化且溶于酸性溶液的磷化铟。
9.一种如权利要求8所述LED外延片分割方法制备的LED外延片结构，其特征在于，包括：氧化分割层、电极层、P型半导体层、发光层、N型半导体层和基板，所述电极层、所述P型半导体层、所述发光层和所述N型半导体层依次堆叠，所述N型半导体层还堆叠在所述基板上，所述氧化分割层至少依次贯穿所述P型半导体层和所述发光层，所述氧化分割层用于将LED外延片分割成至少两个LED芯片，所述氧化分割层的材料至少包括P型半导体层的材料的氧化物和所述发光层的材料的氧化物。
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