[发明专利]一种用于多铁性磁传感器的负反馈式读出系统在审
申请号: | 201911157643.6 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN111398880A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 周浩淼;罗京;邱阳;朱明敏;郁国良;杨浛 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学上虞高等研究院有限公司;中国计量大学 |
主分类号: | G01R33/10 | 分类号: | G01R33/10;G01R33/00;G01R33/06 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 312300 浙江省绍兴市上虞区曹娥街*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 多铁性磁 传感器 负反馈 读出 系统 | ||
本发明公开了一种用于多铁性磁传感器的负反馈式读出系统,包括信号处理模块、调制模块、反馈电路及磁场生成单元,所述信号处理模块的输入端连接多铁性磁传感器,调制模块连接信号处理模块的参考信号端,调制模块同时调制信号处理模块的输入端信号,信号处理模块的输出端连接反馈电路的输入端,反馈电路的输出端连接磁场生成单元,磁场生成单元产生反馈磁场,其中信号处理模块的输出端作为信号读取端。本发明引入了反馈模块,通过其产生的反馈磁场,使多铁性磁传感器本身处在一个稳定的磁场环境中,进而锁定多铁性磁传感器的工作点,由此该传感器的量程不再依赖其本身的线性区间,而是取决于反馈模块,保证该磁电传感器具有超宽的线性工作区间。
技术领域
本发明涉及磁场测量领域,特别涉及一种用于多铁性磁传感器的负反馈式读出系统。
背景技术
磁电耦合效应是指材料在外加磁场作用下产生电极化或者材料在外加电场作用下产生磁化的现象。因此,在同时具有压电效应和磁致伸缩效应的材料系统中,外界磁场的变化可以通过磁电耦合效应产生电信号响应,并且该电信号响应与外界磁场幅值成一定范围的线性关系。目前,经过良好屏蔽处理,磁电材料在谐振频率下可以探测到1.2*10-10T的交流磁场;利用非晶层的高磁导率和强磁性各向异性,可以使得非晶合金/PZT纤维阵列叠层复合材料对直流磁场具有10-9T的灵敏度,以及高达10-5度的角度灵敏度。已有的研究案例展示了基于磁电材料的磁场传感器在航海航空、医学检测、地质勘探、信息处理等方面的应用前景,并且其具有灵敏度高、成本低、功耗小等优点。
如授权公告号CN101047225B的发明提供一种磁电耦合器件,其包括:两个磁致伸缩材料片;压电器件,其位于两个磁致伸缩材料片之间并与其耦合,用以将磁致伸缩材料产生的位移转换为电信号;以及夹具,其上安装耦合在一起的压电器件和两个磁致伸缩材料片。
然而,尽管目前已提出基于磁电材料的磁场传感器原型,并演示了探测磁场的可行性,但将该类型磁场传感器推向实用化仍有许多工作,如优化器件结构设计与系统集成、提高器件整体性能和信噪比等。此外,目前磁电耦合式磁场传感器设计都是直接将磁电材料输出的微弱电信号直接放大,读出电路中没有引入负反馈。磁场-电压转换系数取决于磁电材料本身的磁场-电压特性曲线,这样,对曲线的线性度要求很高,磁场探测区间局限于磁场-电压特性曲线中的线性区域,导致磁场测量工作区间较窄。
发明内容
针对现有技术灵敏度均依赖于磁电材料本身磁场-电压特性曲线中线性区间,对磁电材料设计要求较高,磁场测量工作区较窄的问题,本发明提供了一种用于多铁性磁传感器的负反馈式读出系统,通过负反馈的形式,不再依赖磁场-电压特性曲线中的线性区域,使得磁场-电压转换系数将主要取决于反馈模块,而不是多铁性磁传感器本身,可以将非线性的磁场-电压特性曲线线性化,大幅提高了测量灵敏度,使量程范围大幅增加,且结构简单,成本低,功耗小,能够室温实现,易于集成。
以下是本发明的技术方案。
一种用于多铁性磁传感器的负反馈式读出系统,包括信号处理模块、调制模块、反馈电路及磁场生成单元,所述信号处理模块的输入端连接多铁性磁传感器,调制模块连接信号处理模块的参考信号端,调制模块同时调制信号处理模块的输入端信号,信号处理模块的输出端连接反馈电路的输入端,反馈电路的输出端连接磁场生成单元,磁场生成单元产生反馈磁场,其中信号处理模块的输出端作为信号读取端。
为了解决被多铁性磁传感器本身线性区间限制的问题,引入了反馈电路和磁场生成单元,将反馈的电信号转化为磁场强度,用以叠加在被测磁场中,使得整体磁场保持稳定在所需的磁场强度中,其中磁场生成单元可以是能根据电信号生成可控磁场的任意器件,使得一定磁场强度内,通过叠加反馈磁场,使多铁性磁传感器本身处在一个稳定的磁场环境中,测量量程不再依赖多铁性磁传感器本身的线性区间,而是取决于反馈电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学上虞高等研究院有限公司;中国计量大学,未经中国计量大学上虞高等研究院有限公司;中国计量大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911157643.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。