[发明专利]一种屏下摄像头结构有效
申请号: | 201911157270.2 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110993652B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 陈宇怀;黄志杰;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H10K59/60 | 分类号: | H10K59/60;H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;郭鹏飞 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 摄像头 结构 | ||
一种屏下摄像头结构,包括显示屏,所述显示屏包括增透OLED面板,所述增透面板下设置有镜头模组,所述增透OLED面板通过如下步骤制得,在基板上成膜缓冲层,在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层,在有源层之上图案化栅极绝缘层,并整体成膜第一导电膜层及栅极层,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层;图案化第二绝缘层,使得暴露薄膜晶体管区的有源层,并遮覆电容区的第一导电膜层;先后成膜第二导电膜层及电极层,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。上述方案解决了可显示区域下方设置摄像模组的问题。
技术领域
本发明涉及新的全面屏设计领域,尤其涉及一种增加面板摄像头部分区域透光率的全面屏结构。
背景技术
随着显示技术的日益发展,各种新型技术不断涌现,透明显示技术因其透明的显示面板这一特性及其独特的应用,越来越受到人们的关注。
透明显示技术的核心是透明显示面板,透明显示板是一种能够显示图像的透明面板,它与双面显示板不同,双面显示板是一种能够在显示面板两侧同时显示图像的显示器件。而透明显示板在关闭时,面板就仿佛一块透明玻璃,当其工作时,观看者不仅能够观看到在面板上显示的内容,同时还能透过面板观看到面板后的物体。
智能手机发展到现在,能实现的功能已经越来越多,人们已经逐渐习惯用手机来进行社交、玩游戏和看视频等日常生活中必不可少的活动,与此同时人们也越来越喜欢可视角度大,大屏幕的手机,但前置摄像头占据了很多屏幕位置,为了达到更高的屏占比,提高显示效果,全面屏的概念应运而生。全面屏的“全面”,可以说是我们的美好愿望,但由于种种技术原因,全面屏无法达到真全面,虽然视觉趋向性让自动弹出、推滑盖的机械式设计大行其道,但无需质疑的是,兼顾美感和使用效率的设计方案才是手机设计的终途。屏下摄像头恰恰就是一个兼顾美学和使用效率的设计方案,而且似乎即将成为趋势。
发明内容
因此,需要提供一种新的屏幕结构设计,达到改进电容区的透光率并相应地设计屏下摄像头的全面屏结构。
为实现上述目的,发明人提供了一种屏下摄像头结构,包括显示屏,所述显示屏包括增透OLED面板,所述增透面板下设置有镜头模组,所述增透OLED面板通过如下步骤制得,在基板上成膜缓冲层,在薄膜晶体管区的缓冲层上图案化有源层,在有源层之上图案化栅极绝缘层,并整体成膜第一导电膜层及栅极层,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层;图案化第二绝缘层,使得暴露薄膜晶体管区的有源层,并遮覆电容区的第一导电膜层;先后成膜第二导电膜层及电极层,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,所述源漏极通过第二导电膜层与有源层接触。还包括制作步骤,制作钝化层并蚀刻暴露出漏极金属,再设置平坦层及画素定义层,蚀刻电容区上的平坦层和画素定义层。
进一步地,在电容区蚀刻所有栅极金属,在薄膜晶体管区保留栅极金属及第一导电膜层,在其他区域根据图案化需要蚀刻栅极金属及导电膜层,具体为,
在栅极层上涂布光阻,利用半色掩膜板进行曝光,设置电容区光线透过率为50%,薄膜晶体管的栅极走线部分透光率100%,其他部分透光率100%,然后进行显影液显影,去除其他部分的光阻,再进行蚀刻转印光罩图案,使得其他部分的栅极金属及第一导电膜层完全去除,通过灰化处理去除电容区的光阻,然后再次进行蚀刻,去除电容区的栅极金属及栅极走线部分的光阻。
进一步地,在电容区蚀刻所有电极金属,在薄膜晶体管区保留源漏极和第二导电膜层,具体为,
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